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MDD310-18N1

更新时间： 2024-11-05 20:03:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	140K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 305A, 1800V V(RRM), Silicon,

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MDD310-18N1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X3	最大非重复峰值正向电流：	11500 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	305 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1800 V	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MDD310-18N1 数据手册

MDD 310

I_FRSM

I_FAVM

2x 480 A

2x 305 A

High Power

Diode Modules

V_RRM= 1200-2200 V

V_RSM

V_RRM

Type

1300

1500

1700

1900

2100

2300

1200

1400

1600

1800

2000

2200

MDD 310-12N1

MDD 310-14N1

MDD 310-16N1

MDD 310-18N1

MDD 310-20N1

MDD 310-22N1

E72873

Features

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

• Direct copper bonded Al₂O₃ceramic

base plate

• Planar passivated chips

• Isolation voltage 3600 V~

• UL registered, E 72873

I_FRMS

I_FAVM

T_VJ= T_VJM

T_C= 100°C; 180° sine

480

305

I_FSM

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz)

V_R= 0

11,5

12,2

t = 8.3 ms (60 Hz)

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

;

t = 10 ms (50 Hz)

t = 8.3 ms (60 Hz)

9,6

10,2

Applications

I²t

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz)

662 kA²s

620 kA²s

• Supplies for DC power equipment

• DC supply for PWM inverter

• Field supply for DC motors

• Battery DC power supplies

V_R= 0

t = 8.3 ms (60 Hz)

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

;

t = 10 ms (50 Hz)

t = 8.3 ms (60 Hz)

460 kA²s

430 kA²s

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

Advantages

• Space and weight savings

• Simple mounting

•Improvedtemperatureandpowercycling

• Reduced protection circuits

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL< 1 mA t = 1 s

3000

3600

M_d

Mounting torque (M5)

Terminal connection torque (M8)

2.5 - 5

12 - 15

Weight

Typical including screws

320

Symbol

I_RRM

Conditions

Characteristics Values

V_R= V_RRM

;

T_VJ= T_VJM

V_F

I_F= 600 A;

T_VJ= 25°C

1.2

V_T0

r_t

For power-loss calculations only

0.75

0.63

T_VJ= T_VJM

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode; DC current

per module

0.129 K/W

0.065 K/W

0.169 K/W

0.0845 K/W

other values

see Fig. 6/7

R_thJK

Q_S

I_RM

T_VJ= 125°C; I_F= 400 A; -di/dt = 50 A/µs

760

275

µC

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Maximum allowable acceleration

12.7

9.6

50 m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20150910a

1 - 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MDD310-18V	ETC	获取价格	Diode/Diode Module
MDD310-20N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD310-20N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD310-20V	ETC	获取价格	Diode/Diode Module
MDD310-22N1	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD310-22N1	LITTELFUSE	获取价格	双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD310-22V	ETC	获取价格	Diode/Diode Module
MDD312	IXYS	获取价格	High Power Diode Modules
MDD312-12IN1	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 320A, 1200V V(RRM),
MDD312-12IO1	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 320A, 1200V V(RRM),

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