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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 7.5 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | LATE-WRITE SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 1.5,3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 3.15 V | 子类别： | SRAMs |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BICMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCM69R621ZP5R | MOTOROLA |
获取价格 |
64KX18 CACHE SRAM, 7.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
|
| MCM69R736A | MOTOROLA |
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4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP5 | MOTOROLA |
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4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP5R | MOTOROLA |
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4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP6 | MOTOROLA |
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4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP6R | MOTOROLA |
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4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP7 | MOTOROLA |
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4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP7R | MOTOROLA |
获取价格 |
4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP8 | MOTOROLA |
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4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP8R | MOTOROLA |
获取价格 |
4M Late Write HSTL |
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