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MCM69R736AZP7

更新时间： 2024-11-10 22:20:03
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
20页 228K
描述
4M Late Write HSTL

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MCM69R736AZP7 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：119
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.78
最长访问时间：3.5 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e0长度：22 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：LATE-WRITE SRAM
内存宽度：36功能数量：1
端口数量：1端子数量：119
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX36
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.4 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3.15 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：BICMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM宽度：14 mm
Base Number Matches：1

MCM69R736AZP7 数据手册

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by MCM69R736A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
MCM69R736A  
MCM69R818A  
Advance Information  
4M Late Write HSTL  
TheMCM69R736A/818Aisa4megabitsynchronouslatewritefaststaticRAM  
designed to provide high performance in secondary cache and ATM switch,  
Telecom, and other high speed memory applications. The MCM69R818A  
organized as 256K words by 18 bits, and the MCM69R736A organized as 128K  
words by 36 bits wide are fabricated in Motorola’s high performance silicon gate  
BiCMOS technology.  
The differential CK clock inputs control the timing of read/write operations of  
the RAM. At the rising edge of the CK clock all addresses, write enables, and  
synchronous selects are registered. An internal buffer and special logic enable  
the memory to accept write data on the rising edge of the CK clock a cycle after  
address and control signals. Read data is driven on the rising edge of the CK  
clock also.  
ZP PACKAGE  
PBGA  
CASE 999–01  
TheRAMusesHSTLinputsandoutputs. Theadjustableinputtrip–point(V  
)
ref  
and output voltage (V  
) gives the system designer greater flexibility in  
DDQ  
optimizing system performance.  
The synchronous write and byte enables allow writing to individual bytes or the  
entire word.  
The impedance of the output buffers is programmable allowing the outputs to  
match the impedance of the circuit traces which reduces signal reflections.  
•
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•
Byte Write Control  
Single 3.3 V +10%, – 5% Operation  
HSTL – I/O (JEDEC Standard JESD8–6 Class I Compatible)  
HSTL – User Selectable Input Trip–Point  
HSTL – Compatible Programmable Impedance Output Drivers  
Register to Register Synchronous Operation  
Asynchronous Output Enable  
Boundary Scan (JTAG) IEEE 1149.1 Compatible  
Differential Clock Inputs  
Optional x 18 or x 36 organization  
MCM69R736A/818A–5 = 5 ns  
MCM69R736A/818A–6 = 6 ns  
MCM69R736A/818A–7 = 7 ns  
MCM69R736A/818A–8 = 8 ns  
•
•
Sleep Mode Operation (ZZ Pin)  
119 Bump, 50 mil (1.27 mm) Pitch, 14 mm x 22 mm Plastic Ball Grid Array  
(PBGA) Package  
This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.  
REV 1  
8/20/97  
Motorola, Inc. 1997  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCM69R736AZP7R MOTOROLA

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 		4M Late Write HSTL
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 		4M Late Write HSTL
MCM69R736AZP8R MOTOROLA

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 		128KX36 LATE-WRITE SRAM, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
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 		4M Late Write HSTL
MCM69R736CZP4.4 MOTOROLA

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 		4M Late Write HSTL
MCM69R736CZP4.4R MOTOROLA

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 		128KX36 LATE-WRITE SRAM, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

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