是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.67 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 3 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B119 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | LATE-WRITE SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 119 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA119,7X17,50 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 1.5,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.4 mm | 最大待机电流: | 0.1 A |
最小待机电流: | 3.15 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.75 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BICMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MCM69R736CZP6R | FREESCALE |
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4M Late Write HSTL |
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MCM69R736ZP5 | MOTOROLA |
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Cache SRAM, 128KX36, 2.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
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MCM69R736ZP5R | MOTOROLA |
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Cache SRAM, 128KX36, 2.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
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MCM69R736ZP6R | MOTOROLA |
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Cache SRAM, 128KX36, 3ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
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MCM69R737A | MOTOROLA |
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4M Late Write LVTTL |
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MCM69R737AZP5 | MOTOROLA |
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4M Late Write LVTTL |
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MCM69R737AZP5 | NXP |
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IC,SYNC SRAM,128KX36,BICMOS-TTL,BGA,119PIN,PLASTIC |
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MCM69R737AZP5R | MOTOROLA |
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4M Late Write LVTTL |
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MCM69R737AZP5R | NXP |
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128KX36 LATE-WRITE SRAM, 2.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
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MCM69R737AZP6 | MOTOROLA |
获取价格 |
4M Late Write LVTTL |
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