是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.86 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 2.5 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | LATE-WRITE SRAM |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 119 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.4 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BICMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MCM69R738AZP6 | MOTOROLA |
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4M Late Write 2.5 V I/O | |
MCM69R738AZP6R | MOTOROLA |
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4M Late Write 2.5 V I/O | |
MCM69R738AZP7 | MOTOROLA |
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4M Late Write 2.5 V I/O | |
MCM69R738AZP7R | MOTOROLA |
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4M Late Write 2.5 V I/O | |
MCM69R738AZP8 | MOTOROLA |
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4M Late Write 2.5 V I/O | |
MCM69R738AZP8R | MOTOROLA |
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4M Late Write 2.5 V I/O | |
MCM69R738C | FREESCALE |
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4M Late Write 2.5 V I/O | |
MCM69R738CZP4 | FREESCALE |
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4M Late Write 2.5 V I/O | |
MCM69R738CZP4.4 | FREESCALE |
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4M Late Write 2.5 V I/O | |
MCM69R738CZP4.4R | FREESCALE |
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4M Late Write 2.5 V I/O |