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MCM69R738CZP4.4R

更新时间： 2024-01-22 06:09:18

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飞思卡尔 - FREESCALE		内存集成电路静态存储器信息通信管理
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4M Late Write 2.5 V I/O

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MCM69R738CZP4.4R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.86	最长访问时间：	2.2 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX36
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

MCM69R738CZP4.4R 数据手册

Freescale Semiconductor, Inc.

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

MOTOROLA

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by MCM69R738C/D

MCM69R738C

MCM69R820C

4M Late Write 2.5 V I/O

The MCM69R738C/820C is a 4M–bit synchronous late write fast static RAM

designed to provide high performance in secondary cache and ATM switch,

Telecom, and other high speed memory applications. The MCM69R820C

(organizedas256Kwordsby18bits)andtheMCM69R738C(organizedas128K

words by 36 bits) are fabricated in Motorola’s high performance silicon gate

BiCMOS technology.

The differential clock (CK) inputs control the timing of read/write operations of

theRAM. AttherisingedgeofCK, alladdresses, writeenables, andsynchronous

selects are registered. An internal buffer and special logic enable the memory to

accept write data on the rising edge of CK, a cycle after address and control

signals. Read data is also driven on the rising edge of CK.

ZP PACKAGE

PBGA

CASE 999–02

The RAM uses 2.5 V inputs and outputs.

The synchronous write and byte enables allow writing to individual bytes or the

entire word.

•

Byte Write Control

Single 3.3 V +10%, –5% Operation

2.5 V I/O (V

)

DDQ

Asynchronous Output Enable

Boundary Scan (JTAG) IEEE 1149.1 Compatible

Differential Clock Inputs

Optional x18 or x36 Organization

MCM69R738C/820C–4 = 4 ns

MCM69R738C/820C–4.4 = 4.4 ns

MCM69R738C/820C–5 = 5 ns

MCM69R738C/820C–6 = 6 ns

•

Sleep Mode Operation (ZZ Pin)

119–Bump, 50 mil (1.27 mm) Pitch, 14 mm x 22 mm Plastic Ball Grid Array

(PBGA) Package

REV 1

8/13/99

Motorola, Inc. 1999

MOTOROLA FAST SRAM

MCM69R738C•MCM69R820C

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