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MCM69R737AZP5R

更新时间： 2024-11-11 20:26:03

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	367K
描述
128KX36 LATE-WRITE SRAM, 2.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

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MCM69R737AZP5R 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.54
最长访问时间：	2.5 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX36
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

MCM69R737AZP5R 数据手册

Freescale Semiconductor, Inc.

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MCM69R737A/D

MCM69R737A

MCM69R819A

Advance Information

4M Late Write LVTTL

TheMCM69R737A/819Aisa4megabitsynchronouslatewritefaststaticRAM

designed to provide high performance in secondary cache and ATM switch,

Telecom, and other high speed memory applications. The MCM69R819A

organized as 256K words by 18 bits, and the MCM69R737A organized as 128K

words by 36 bits wide are fabricated in Motorola’s high performance silicon gate

BiCMOS technology.

The differential CK clock inputs control the timing of read/write operations of

the RAM. At the rising edge of the CK clock all addresses, write enables, and

synchronous selects are registered. An internal buffer and special logic enable

the memory to accept write data on the rising edge of the CK clock a cycle after

address and control signals. Read data is driven on the rising edge of the CK

clock also.

ZP PACKAGE

PBGA

CASE 999–01

The RAM uses LVTTL 3.3 V inputs and outputs.

The synchronous write and byte enables allow writing to individual bytes or the

entire word.

•

Byte Write Control

Single 3.3 V + 10%, – 5% Operation

LVTTL 3.3 V I/O (V

Asynchronous Output Enable

Boundary Scan (JTAG) IEEE 1149.1 Compatible

Differential Clock Inputs

Optional x 18 or x 36 organization

MCM69R737A/819A–5 = 5 ns

)

DDQ

MCM69R737A/819A–6 = 6 ns

MCM69R737A/819A–7 = 7 ns

MCM69R737A/819A–8 = 8 ns

•

Sleep Mode Operation (ZZ Pin)

119 Bump, 50 mil (1.27 mm) Pitch, 14 mm x 22 mm Plastic Ball Grid Array

(PBGA) Package

This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.

REV 1

8/13/97

Motorola, Inc. 1997

MOTOROLA FAST SRAM

MCM69R737A•MCM69R819A

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM69R737AZP6	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write LVTTL
MCM69R737AZP6R	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write LVTTL
MCM69R737AZP7	NXP	获取价格	IC,SYNC SRAM,128KX36,BICMOS-TTL,BGA,119PIN,PLASTIC
MCM69R737AZP7	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write LVTTL
MCM69R737AZP7R	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write LVTTL
MCM69R737AZP7R	NXP	获取价格	128KX36 LATE-WRITE SRAM, 3.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R737AZP8	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write LVTTL
MCM69R737AZP8	NXP	获取价格	128KX36 LATE-WRITE SRAM, 3.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R737AZP8R	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write LVTTL
MCM69R737AZP8R	NXP	获取价格	128KX36 LATE-WRITE SRAM, 3.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

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