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MCM69R736CZP4.4R

更新时间： 2024-01-27 22:08:58

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4M Late Write HSTL

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MCM69R736CZP4.4R 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.65
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	长度：	22 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	BICMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

MCM69R736CZP4.4R 数据手册

Freescale Semiconductor, Inc.

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

MOTOROLA

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by MCM69R736C/D

MCM69R736C

MCM69R818C

4M Late Write HSTL

The MCM69R736C/818C is a 4M–bit synchronous late write fast static RAM

designed to provide high performance in secondary cache and ATM switch,

Telecom, and other high speed memory applications. The MCM69R818C

(organizedas256Kwordsby18bits)andtheMCM69R736C(organizedas128K

words by 36 bits) are fabricated in Motorola’s high performance silicon gate

BiCMOS technology.

The differential clock (CK) inputs control the timing of read/write operations of

theRAM. AttherisingedgeofCK, alladdresses, writeenables, andsynchronous

selects are registered. An internal buffer and special logic enable the memory to

accept write data on the rising edge of CK, a cycle after address and control sig-

nals. Read data is also driven on the rising edge of CK.

ZP PACKAGE

PBGA

CASE 999–02

The RAM uses HSTL inputs and outputs. The adjustable input trip–point

(V ) and output voltage (V

) gives the system designer greater flexibility in

ref

DDQ

optimizing system performance.

The synchronous write and byte enables allow writing to individual bytes or

the entire word.

The impedance of the output buffers is programmable, allowing the outputs to

match the impedance of the circuit traces which reduces signal reflections.

•

Byte Write Control

Single 3.3 V +10%, –5% Operation

HSTL — I/O (JEDEC Standard JESD8–6 Class I Compatible)

HSTL — User Selectable Input Trip–Point

HSTL — Compatible Programmable Impedance Output Drivers

Asynchronous Output Enable

Boundary Scan (JTAG) IEEE 1149.1 Compatible

Differential Clock Inputs

Optional x18 or x36 Organization

MCM69R736C/818C–4 = 4 ns

MCM69R736C/818C–4.4 = 4.4 ns

MCM69R736C/818C–5 = 5 ns

MCM69R736C/818C–6 = 6 ns

•

Sleep Mode Operation (ZZ pin)

119–Bump, 50 mil (1.27 mm) Pitch, 14 mm x 22 mm Plastic Ball Grid Array

(PBGA) Package

REV 1

8/10/99

Motorola, Inc. 1999

MOTOROLA FAST SRAM

MCM69R736C•MCM69R818C

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM69R736CZP4R	FREESCALE	获取价格	4M Late Write HSTL
MCM69R736CZP4R	MOTOROLA	获取价格	128KX36 LATE-WRITE SRAM, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R736CZP5	FREESCALE	获取价格	4M Late Write HSTL
MCM69R736CZP5	MOTOROLA	获取价格	128KX36 LATE-WRITE SRAM, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R736CZP5R	FREESCALE	获取价格	4M Late Write HSTL
MCM69R736CZP5R	MOTOROLA	获取价格	128KX36 LATE-WRITE SRAM, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R736CZP6	FREESCALE	获取价格	4M Late Write HSTL
MCM69R736CZP6	MOTOROLA	获取价格	128KX36 LATE-WRITE SRAM, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R736CZP6R	FREESCALE	获取价格	4M Late Write HSTL
MCM69R736ZP5	MOTOROLA	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 2.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

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