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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 | 针数： | 119 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 6.7 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 1.5,3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.4 mm | 最小待机电流： | 3.15 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BICMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCM69R621ZP4.5R | MOTOROLA |
获取价格 |
64KX18 CACHE SRAM, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
|
| MCM69R621ZP5 | MOTOROLA |
获取价格 |
64KX18 CACHE SRAM, 7.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
|
| MCM69R621ZP5R | MOTOROLA |
获取价格 |
64KX18 CACHE SRAM, 7.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
|
| MCM69R736A | MOTOROLA |
获取价格 |
4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP5 | MOTOROLA |
获取价格 |
4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP5R | MOTOROLA |
获取价格 |
4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP6 | MOTOROLA |
获取价格 |
4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP6R | MOTOROLA |
获取价格 |
4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP7 | MOTOROLA |
获取价格 |
4M Late Write HSTL |
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| MCM69R736AZP7R | MOTOROLA |
获取价格 |
4M Late Write HSTL |
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