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MCM69L618ZP10.5

更新时间: 2024-09-21 03:43:35
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 753K
描述
Cache SRAM, 64KX18, 10.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

MCM69L618ZP10.5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:10.5 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B119
JESD-609代码:e0长度:22 mm
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:119
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX18
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.5,3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.4 mm
最小待机电流:3.15 V子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.15 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:BICMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

MCM69L618ZP10.5 数据手册

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