5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > SRAM> MCM69L736AZP9.5
MCM69L736AZP9.5 PDF预览

MCM69L736AZP9.5

更新时间： 2024-09-19 22:06:43
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 存储内存集成电路静态存储器信息通信管理
页数 文件大小 规格书
20页 228K
描述
4M Late Write HSTL

阅读下载

中文翻译

获取价格

MCM69L736AZP9.5 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：9.5 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e0长度：22 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：36功能数量：1
端口数量：1端子数量：119
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX36
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：BICMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

MCM69L736AZP9.5 数据手册

 浏览型号MCM69L736AZP9.5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MCM69L736AZP9.5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MCM69L736AZP9.5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MCM69L736AZP9.5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MCM69L736AZP9.5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MCM69L736AZP9.5的Datasheet PDF文件第7页 
Order this document  
by MCM69L736A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
MCM69L736A  
MCM69L818A  
Advance Information  
4M Late Write HSTL  
The MCM69L736A/818A is a 4M synchronous late write fast static RAM  
designed to provide high performance in secondary cache and ATM switch,  
Telecom, and other high speed memory applications. The MCM69L818A  
(organized as 256K words by 18 bits) and the MCM69L736A (organized as 128K  
words by 36 bits) are fabricated in Motorola’s high performance silicon gate  
BiCMOS technology.  
The differential clock (CK) inputs control the timing of read/write operations of  
theRAM. AttherisingedgeofCK, alladdresses, writeenables, andsynchronous  
selects are registered. An internal buffer and special logic enable the memory to  
accept write data on the rising edge of CK a cycle after address and control  
signals. Read data is available at the falling edge of CK.  
ZP PACKAGE  
PBGA  
CASE 999–01  
The RAM uses HSTL inputs and outputs. The adjustable input trip–point (V  
)
ref  
and output voltage (V  
) gives the system designer greater flexibility in  
DDQ  
optimizing system performance.  
The synchronous write and byte enables allow writing to individual bytes or the  
entire word.  
The impedance of the output buffers is programmable, allowing the outputs to  
match the impedance of the circuit traces which reduces signal reflections.  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Byte Write Control  
Single 3.3 V +10%, – 5% Operation  
HSTL — I/O (JEDEC Standard JESD8–6 Class I)  
HSTL — User Selectable Input Trip–Point  
HSTL — Compatible Programmable Impedance Output Drivers  
Register to Latch Synchronous Operation  
Asynchronous Output Enable  
Boundary Scan (JTAG) IEEE 1149.1 Compatible  
Differential Clock Inputs  
Optional x18 or x36 Organization  
MCM69L736A/818A–7.5 = 7.5 ns  
MCM69L736A/818A–8.5 = 8.5 ns  
MCM69L736A/818A–9.5 = 9.5 ns  
MCM69L736A/818A–10.5 = 10.5 ns  
119 Bump, 50 mil (1.27 mm) Pitch, 14 mm x 22 mm Plastic Ball Grid Array  
(PBGA) Package  
•
This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.  
4/3/97  
Motorola, Inc. 1997  
1234567...20

中文翻译

下载PDF

与MCM69L736AZP9.5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCM69L736AZP9.5R MOTOROLA

获取价格

 		4M Late Write HSTL
MCM69L736CZP5.5 NXP

获取价格

 		128KX36 LATE-WRITE SRAM, 5.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L736CZP5.5R NXP

获取价格

 		128KX36 LATE-WRITE SRAM, 5.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L736CZP6.5 NXP

获取价格

 		128KX36 LATE-WRITE SRAM, 6.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L736CZP6.5R NXP

获取价格

 		128KX36 LATE-WRITE SRAM, 6.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L736CZP7.5 NXP

获取价格

 		128KX36 LATE-WRITE SRAM, 7.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L736CZP7.5R NXP

获取价格

 		128KX36 LATE-WRITE SRAM, 7.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L736CZP8.5 NXP

获取价格

 		128KX36 LATE-WRITE SRAM, 8.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L736CZP8.5R NXP

获取价格

 		128KX36 LATE-WRITE SRAM, 8.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L737A MOTOROLA

获取价格

 		4M Late Write LVTTL

与MCM69L736AZP9.5相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证