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MCM69L736CZP6.5R

更新时间： 2024-11-08 19:31:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	1590K
描述
128KX36 LATE-WRITE SRAM, 6.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

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MCM69L736CZP6.5R 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.78
最长访问时间：	6.5 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX36
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

MCM69L736CZP6.5R 数据手册

ARCHIVED BY FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 2007

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MCM69L736C/D

MCM69L736C

MCM69L818C

4M Late Write HSTL

The MCM69L736C/818C is a 4M–bit synchronous late write fast static RAM

designed to provide high performance in secondary cache and ATM switch,

Telecom, and other high speed memory applications. The MCM69L818C

(organized as 256K words by 18 bits) and the MCM69L736C (organized as 128K

words by 36 bits) are fabricated in Motorola’s high performance silicon gate

BiCMOS technology.

The differential clock (CK) inputs control the timing of read/write operations of

theRAM. AttherisingedgeofCK, alladdresses, writeenables, andsynchronous

selects are registered. An internal buffer and special logic enable the memory to

accept write data on the rising edge of CK, a cycle after address and control

signals. Read data is available at the falling edge of CK.

ZP PACKAGE

PBGA

CASE 999–02

The RAM uses HSTL inputs and outputs. The adjustable input trip–point (V

)

ref

and output voltage (V

) gives the system designer greater flexibility in

DDQ

optimizing system performance.

The synchronous write and byte enables allow writing to individual bytes or

the entire word.

The impedance of the output buffers is programmable, allowing the outputs to

match the impedance of the circuit traces which reduces signal reflections.

•

Byte Write Control

Single 3.3 V +10%, –5% Operation

HSTL — I/O (JEDEC Standard JESD8–6 Class I Compatible)

HSTL — User Selectable Input Trip–Point

HSTL — Compatible Programmable Impedance Output Drivers

Asynchronous Output Enable

Boundary Scan (JTAG) IEEE 1149.1 Compatible

Differential Clock Inputs

Optional x18 or x36 Organization

MCM69L736C/818C–5.5 = 5..5 ns

MCM69L736C/818C–6.5 = 6.5 ns

MCM69L736C/818C–7.5 = 7.5 ns

MCM69L736C/818C–8.5 = 8.5 ns

•

Sleep Mode Operation (ZZ Pin)

119–Bump, 50 mil (1.27 mm) Pitch, 14 mm x 22 mm Plastic Ball Grid Array

(PBGA) Package

REV 1

8/10/99

Motorola, Inc. 1999

MOTOROLA FAST SRAM

MCM69L736C•MCM69L818C

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM69L736CZP7.5	NXP	获取价格	128KX36 LATE-WRITE SRAM, 7.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L736CZP7.5R	NXP	获取价格	128KX36 LATE-WRITE SRAM, 7.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L736CZP8.5	NXP	获取价格	128KX36 LATE-WRITE SRAM, 8.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L736CZP8.5R	NXP	获取价格	128KX36 LATE-WRITE SRAM, 8.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L737A	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write LVTTL
MCM69L737AZP10.5	MOTOROLA	获取价格	128KX36 CACHE SRAM, 10.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L737AZP10.5R	MOTOROLA	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 10.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L737AZP7.5	MOTOROLA	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 7.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L737AZP7.5R	MOTOROLA	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 7.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69L737AZP8.5	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write LVTTL

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