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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOIC-16 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | NECL MODE: 0V VCC WITH VEE = -3V TO -3.8V | 系列： | 100LVEL |
| 输入调节： | DIFFERENTIAL | JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 9.9 mm |
| 逻辑集成电路类型： | LOW SKEW CLOCK DRIVER | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 功能数量： | 1 | 反相输出次数： | |
| 端子数量： | 16 | 实输出次数： | 3 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 传播延迟（tpd）： | 1 ns |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.8 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ECL | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 3.9 mm |
| 最小 fmax： | 1500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MC100LVEL34DG | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V ECL ±2, ±4, ±8 Clock Generation Chip |
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| MC100LVEL34DR2 | ONSEMI |
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3.3V ECL ±2, ±4, ±8 Clock Generation Chip |
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| MC100LVEL34DR2 | ROCHESTER |
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100LVEL SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 3 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PDSO16, SOI |
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| MC100LVEL34DR2G | ONSEMI |
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3.3V ECL ±2, ±4, ±8 Clock Generation Chip |
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| MC100LVEL34DT | ONSEMI |
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3.3V ECL ±2, ±4, ±8 Clock Generation Chip |
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| MC100LVEL34DT | ROCHESTER |
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100LVEL SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 3 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PDSO16, LEA |
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| MC100LVEL34DTG | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V ECL ±2, ±4, ±8 Clock Generation Chip |
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| MC100LVEL34DTG | ROCHESTER |
获取价格 |
100LVEL SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 3 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PDSO16, LEA |
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| MC100LVEL34DTR2 | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V ECL ±2, ±4, ±8 Clock Generation Chip |
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| MC100LVEL34DTR2G | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V ECL ±2, ±4, ±8 Clock Generation Chip |
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