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MC-4R256FKE6D-845

更新时间： 2024-11-28 22:30:23
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
14页 116K
描述
Direct Rambus DRAM RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 16-BIT)

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MC-4R256FKE6D-845 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DMA包装说明：DIMM, DIMM184,40
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.88Is Samacsys：N
访问模式：BLOCK ORIENTED PROTOCOL最长访问时间：45 ns
其他特性：SELF CONTAINED REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：800 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N184
内存密度：2147483648 bit内存集成电路类型：RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度：16湿度敏感等级：1
功能数量：1端口数量：1
端子数量：184字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：SYNCHRONOUS
组织：128MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM184,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：1.8/2.5,2.5 V认证状态：Not Qualified
自我刷新：YES子类别：DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：2.63 V最小供电电压 (Vsup)：2.37 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：NO
技术：MOS端子形式：NO LEAD
端子节距：1 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MC-4R256FKE6D-845 数据手册

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DATA SHEET  
MOS INTEGRATED CIRCUIT  
MC-4R256FKE6D  
Direct Rambus DRAM RIMMTM Module  
256M-BYTE (128M-WORD x 16-BIT)  
Description  
The Direct Rambus RIMM module is a general-purpose high-performance memory module subsystem suitable for  
use in a broad range of applications including computer memory, personal computers, workstations, and other  
applications where high bandwidth and low latency are required.  
MC-4R256FKE6D modules consists of eight 288M Direct Rambus DRAM (Direct RDRAM) devices (µPD488588).  
These are extremely high-speed CMOS DRAMs organized as 16M words by 18 bits. The use of Rambus Signaling  
Level (RSL) technology permits 600MHz, 711MHz or 800MHz transfer rates while using conventional system and  
board design technologies.  
Direct RDRAM devices are capable of sustained data transfers at 1.25 ns per two bytes (10 ns per sixteen bytes).  
The architecture of the Direct RDRAM enables the highest sustained bandwidth for multiple, simultaneous,  
randomly addressed memory transactions. The separate control and data buses with independent row and column  
control yield over 95 % bus efficiency. The Direct RDRAM's 32 banks support up to four simultaneous transactions  
per device.  
Features  
• 184 edge connector pads with 1mm pad spacing  
• 256 MB Direct RDRAM storage  
• Each RDRAM has 32 banks, for 256 banks total on module  
• Gold plated contacts  
• RDRAMs use Chip Scale Package (CSP)  
• Serial Presence Detect support  
• Operates from a 2.5 V supply  
• Powerdown self refresh modes  
• Separate Row and Column buses for higher efficiency  
• Over Drive Factor (ODF) support  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for  
availability and additional information.  
Document No. E0094N20 (Ver. 2.0)  
Date Published June 2002 (K) Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory,Inc. 2001-2002  
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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