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MC-4R512FKE8D-745

更新时间： 2024-11-29 20:16:47

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	141K
描述
Rambus DRAM Module, 256MX18, 45ns, CMOS, RIMM-184

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MC-4R512FKE8D-745 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	内存密度：	4831838208 bit
内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM MODULE	内存宽度：	18
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	256MX18	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MC-4R512FKE8D-745 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4R512FKE8D

Direct Rambus^TMDRAM RIMM^TMModule

512M-BYTE (256M-WORD x 18-BIT)

Description

The Direct Rambus RIMM module is a general-purpose high-performance memory module subsystem suitable for

use in a broad range of applications including computer memory, personal computers, workstations, and other

applications where high bandwidth and low latency are required.

MC-4R512FKE8D modules consists of sixteen 288M Direct Rambus DRAM (Direct RDRAM™) devices

(µPD488588). These are extremely high-speed CMOS DRAMs organized as 16M words by 18 bits. The use of

Rambus Signaling Level (RSL) technology permits 600MHz, 711MHz or 800MHz transfer rates while using

conventional system and board design technologies.

Direct RDRAM devices are capable of sustained data transfers at 1.25 ns per two bytes (10 ns per sixteen bytes).

The architecture of the Direct RDRAM enables the highest sustained bandwidth for multiple, simultaneous,

randomly addressed memory transactions. The separate control and data buses with independent row and column

control yield over 95 % bus efficiency. The Direct RDRAM's 32 banks support up to four simultaneous transactions

per device.

Features

• 184 edge connector pads with 1mm pad spacing

• 512 MB Direct RDRAM storage

• Each RDRAM has 32 banks, for 512 banks total on module

• Gold plated contacts

• RDRAMs use Chip Scale Package (CSP)

• Serial Presence Detect support

• Operates from a 2.5 V supply

• Powerdown self refresh modes

• Separate Row and Column buses for higher efficiency

• Over Drive Factor (ODF) support

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for

availability and additional information.

Document No. E0076N10 (1st edition)

(Previous No. M15041EJ3V0DS00)

Date Published January 2001 CP (K)

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

Printed in Japan

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MC-4R512FKE8D-840	ELPIDA	获取价格	Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 18-BIT)
MC-4R512FKE8D-845	NEC	获取价格	Rambus DRAM Module, 256MX18, 45ns, CMOS, RIMM-184
MC-4R512FKE8D-845	ELPIDA	获取价格	Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 18-BIT)
MC-4R512FKK6K	ELPIDA	获取价格	512MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM Module
MC-4R512FKK6K-840	ELPIDA	获取价格	512MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM Module
MC-4R512FKK8K	ELPIDA	获取价格	512MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM Module
MC-4R512FKK8K-840	ELPIDA	获取价格	512MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM Module
MC-4R64CEE6B	NEC	获取价格	Direct Rambus DRAM RIMM Module 64M-BYTE 32M-WORD x 16-BIT
MC-4R64CEE6B-653	NEC	获取价格	Direct Rambus DRAM RIMM Module 64M-BYTE 32M-WORD x 16-BIT
MC-4R64CEE6B-745	NEC	获取价格	Direct Rambus DRAM RIMM Module 64M-BYTE 32M-WORD x 16-BIT

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