Datasheet > MC-4R512FKE8D-845

MC-4R512FKE8D-845

更新时间： 2024-11-28 22:16:39

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	132K
描述
Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 18-BIT)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MC-4R512FKE8D-845 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DMA	包装说明：	DIMM, DIMM184,40
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间：	2.11 ns	其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	800 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	内存密度：	4831838208 bit
内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM MODULE	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	256MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8/2.5,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	MOS
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MC-4R512FKE8D-845 数据手册

浏览型号MC-4R512FKE8D-845的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MC-4R512FKE8D-845的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MC-4R512FKE8D-845的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MC-4R512FKE8D-845的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MC-4R512FKE8D-845的Datasheet PDF文件第6页

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4R512FKE8D

Direct Rambus DRAM RIMM^TMModule

512M-BYTE (256M-WORD x 18-BIT)

Description

The Direct Rambus RIMM module is a general-purpose high-performance memory module subsystem suitable for

use in a broad range of applications including computer memory, personal computers, workstations, and other

applications where high bandwidth and low latency are required.

MC-4R512FKE8D modules consists of sixteen 288M Direct Rambus DRAM (Direct RDRAM) devices (µPD488588).

These are extremely high-speed CMOS DRAMs organized as 16M words by 18 bits. The use of Rambus Signaling

Level (RSL) technology permits 600MHz, 711MHz or 800MHz transfer rates while using conventional system and

board design technologies.

Direct RDRAM devices are capable of sustained data transfers at 1.25 ns per two bytes (10 ns per sixteen bytes).

The architecture of the Direct RDRAM enables the highest sustained bandwidth for multiple, simultaneous,

randomly addressed memory transactions. The separate control and data buses with independent row and column

control yield over 95 % bus efficiency. The Direct RDRAM's 32 banks support up to four simultaneous transactions

per device.

Features

• 184 edge connector pads with 1mm pad spacing

• 512 MB Direct RDRAM storage

• Each RDRAM has 32 banks, for 512 banks total on module

• Gold plated contacts

• RDRAMs use Chip Scale Package (CSP)

• Serial Presence Detect support

• Operates from a 2.5 V supply

• Powerdown self refresh modes

• Separate Row and Column buses for higher efficiency

• Over Drive Factor (ODF) support

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for

availability and additional information.

Document No. E0076N20 (Ver 2.0)

Date Published June 2002 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2001-2002

NEC Corporation. 2000

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与MC-4R512FKE8D-845相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MC-4R512FKK6K	ELPIDA	获取价格	512MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM Module
MC-4R512FKK6K-840	ELPIDA	获取价格	512MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM Module
MC-4R512FKK8K	ELPIDA	获取价格	512MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM Module
MC-4R512FKK8K-840	ELPIDA	获取价格	512MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM Module
MC-4R64CEE6B	NEC	获取价格	Direct Rambus DRAM RIMM Module 64M-BYTE 32M-WORD x 16-BIT
MC-4R64CEE6B-653	NEC	获取价格	Direct Rambus DRAM RIMM Module 64M-BYTE 32M-WORD x 16-BIT
MC-4R64CEE6B-745	NEC	获取价格	Direct Rambus DRAM RIMM Module 64M-BYTE 32M-WORD x 16-BIT
MC-4R64CEE6B-845	NEC	获取价格	Direct Rambus DRAM RIMM Module 64M-BYTE 32M-WORD x 16-BIT
MC-4R64CEE6C	NEC	获取价格	Direct Rambus DRAM RIMM Module 64M-BYTE 32M-WORD x 16-BIT
MC-4R64CEE6C-653	NEC	获取价格	Direct Rambus DRAM RIMM Module 64M-BYTE 32M-WORD x 16-BIT

与MC-4R512FKE8D-845相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

67
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

63

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MC-4R512FKE8D-845

MC-4R512FKE8D-845 技术参数

MC-4R512FKE8D-845 数据手册

与MC-4R512FKE8D-845相关器件

与MC-4R512FKE8D-845相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MC-4R512FKE8D-845

MC-4R512FKE8D-845 技术参数

MC-4R512FKE8D-845 数据手册

与MC-4R512FKE8D-845相关器件

与MC-4R512FKE8D-845相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？