是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DMA | 包装说明: | DIMM, DIMM232,40 |
针数: | 232 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 其他特性: | SELF CONTAINED REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 800 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N232 | 内存密度: | 2415919104 bit |
内存集成电路类型: | RAMBUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 232 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 组织: | 128MX18 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM232,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 1.8/2.5,2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 自我刷新: | YES |
子类别: | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 2.63 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.37 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MC-4R512FKE6D | ELPIDA |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 16-BIT) | |
MC-4R512FKE6D-653 | ELPIDA |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 16-BIT) | |
MC-4R512FKE6D-745 | ELPIDA |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 16-BIT) | |
MC-4R512FKE6D-840 | ELPIDA |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 16-BIT) | |
MC-4R512FKE6D-845 | ELPIDA |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 16-BIT) | |
MC-4R512FKE8D | ELPIDA |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 18-BIT) | |
MC-4R512FKE8D-653 | ELPIDA |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 18-BIT) | |
MC-4R512FKE8D-653 | NEC |
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Rambus DRAM Module, 256MX18, 53ns, CMOS, RIMM-184 | |
MC-4R512FKE8D-745 | NEC |
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Rambus DRAM Module, 256MX18, 45ns, CMOS, RIMM-184 | |
MC-4R512FKE8D-745 | ELPIDA |
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Direct Rambus DRAM RIMM Module 512M-BYTE (256M-WORD x 18-BIT) |