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MC-458CB642XS-A75L

更新时间： 2024-09-09 07:03:15

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器时钟
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14页	130K
描述
8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)

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MC-458CB642XS-A75L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	DIMM, DIMM144,32
针数：	144	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	25.4 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MC-458CB642XS-A75L 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-458CB642XS

8M-WORD BY 64-BIT

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)

Description

The MC-458CB642XS is 8,388,608 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module (Small Outline DIMM) on

which 4 pieces of 128M SDRAM: µPD45128163 are assembled.

This module provide high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 8,388,608 words by 64 bits organization

• Clock frequency and access time from CLK

Part number

/CAS latency

CL = 3

Clock frequency (MAX.)

133 MHz

Access time from CLK (MAX.)

MC-458CB642XS-A75

5.4 ns

6 ns

CL = 2

100 MHz

MC-458CB642XS-A75L

CL = 3

133 MHz

5.4 ns

6 ns

CL = 2

100 MHz

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0, BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length: 1, 2, 4, 8 and Full Page

• Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• Single 3.3V ± 0.3V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 144-pin small outline dual in-line memory module (Pin pitch = 0.8 mm)

• Unbuffered type

• Serial PD

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for

availability and additional information.

Document No. E0115N20 (Ver. 2.0)

Date Published September 2001 (K)

Printed in Japan

This product became EOL in March, 2004.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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MC-458CB646EFB-A80	NEC	获取价格	8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE
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