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MBR40H35CT-E35/45

更新时间： 2024-09-26 15:40:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 382K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 35V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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MBR40H35CT-E35/45 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.72其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：350 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR40H35CT-E35/45 数据手册

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MBR40H35CT thru MBR40H60CT  
New Product  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode Schottky Rectifiers  
High Barrier Technology for improved high temperature performance  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
TO-220AB  
• Low power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
3
2
1
and WEEE 2002/96/EC  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage, high frequency rectifier of  
switching mode power supplies, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters or polarity protection application.  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB  
IF(AV)  
20 A x 2  
35 V to 60 V  
350 A, 320 A  
0.55 V, 0.60 V  
100 µA  
VRRM  
IFSM  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
VF at IF = 20 A  
IR  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade  
Tj max  
175 °C  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Polarity: As marked  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL MBR40H35CT MBR40H45CT MBR40H50CT MBR40H60CT UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
35  
45  
50  
60  
V
Maximum average forward rectified Total device  
40  
20  
IF(AV)  
A
current (see Fig. 1)  
Per leg  
Peak forward surge current 8.3 ms  
singlehalfsine-wavesuperimposed Per leg  
on rated load  
IFSM  
350  
320  
A
Peak repetitive reverse current per leg  
at tp = 2 µs, 1 kHz  
IRRM  
1.0  
20  
A
Peak non-repetitive reverse surge  
Per leg  
ERSM  
mJ  
mJ  
energy (8/20 µs waveform)  
Non-repetitive avalanche energy  
Per leg  
EAS  
22.5  
at 25 °C, IAS = 3.0 A, L = 5 mH  
Voltage rate of change (rated VR)  
dv/dt  
10000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Document Number 88920  
27-Mar-06  
www.vishay.com  
1
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与MBR40H35CT-E35/45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR40H35PT VISHAY

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 		Dual Schottky Barrier Rectifier
MBR40H35PT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 40 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PI
MBR40H45CT KERSEMI

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 		Dual rectifier construction, positive center tap
MBR40H45CT VISHAY

获取价格

 		Dual Schottky Barrier Rectifiers
MBR40H45CT/45 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 20A, 45V V(RRM),
MBR40H45CT-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
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 		Dual Common-Cathode Schottky Rectifiers
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO
MBR40H45PT VISHAY

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 		Dual Common-Cathode Schottky Rectifier

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