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MBR40L15CWPBF

更新时间： 2024-09-27 11:11:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 175K
描述
Schottky Rectifier, 2 x 20 A

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MBR40L15CWPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AC
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.47
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.34 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：700 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：15 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

MBR40L15CWPBF 数据手册

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VS-MBR40L15CWPbF, VS-MBR40L15CW-N3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 2 x 20 A  
FEATURES  
Base  
common  
• 125 °C TJ operation (VR < 5 V)  
• Optimized for OR-ing applications  
• Ultralow forward voltage drop  
• High frequency operation  
cathode  
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• High  
purity,  
high  
temperature  
epoxy  
1
3
TO-247AC  
Anode  
Anode  
2
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
2
1
Common  
cathode  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47  
PRODUCT SUMMARY  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
(-N3 only)  
Package  
TO-247AC  
2 x 20 A  
15 V  
IF(AV)  
DESCRIPTION  
VR  
The VS-MBR40L15CW... center tap Schottky rectifier  
module has been optimized for ultralow forward voltage  
drop specifically for the OR-ing of parallel power supplies.  
The proprietary barrier technology allows for reliable  
operation up to 125 °C junction temperature. Typical  
applications are in parallel switching power supplies,  
converters, reverse battery protection, and redundant  
power subsystems.  
VF at IF  
0.34 V  
I
RM max.  
600 mA at 100 °C  
125 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
5 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
40  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
15  
tp = 5 μs sine  
700  
A
VF  
20 Apk, TJ = 125 °C (per leg, typical)  
0.26  
V
TJ  
Range  
- 55 to 125  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL TEST CONDITIONS  
VS-MBR40L15CWPbF  
VS-MBR40L15CW-N3  
15  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
TJ = 100 °C  
15  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
20  
40  
IF(AV)  
50 % duty cycle, at TC = 86 °C, rectangular waveform  
per device  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current per leg  
See fig. 7  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
700  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
330  
5
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 6 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2
Revision: 30-Aug-11  
Document Number: 94297  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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