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MBR40H60CT

更新时间： 2024-02-26 15:49:30

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科盛美 - KERSEMI		二极管瞄准线功效局域网
页数	文件大小	规格书
3页	1139K
描述
Dual rectifier construction, positive center tap

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MBR40H60CT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.6 V	最大非重复峰值正向电流：	400 A
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	40 A
最大重复峰值反向电压：	60 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
Base Number Matches：	1

MBR40H60CT 数据手册

MBR40H35CT thru MBR40H60CT

Features

• Dual rectifier construction, positive center tap

• Metal silicon junction, majority carrier conduction

• Low power loss, high efficiency

• Guardring for overvoltage protection

• For use in high frequency inverters,

TO-220AB (MBR40HxxCT)

0.398 (10.10)

0.185 (4.70)

0.169 (4.30)

0.382 (8.70)

0.055 (1.40)

0.047 (1.20)

0.150 (3.80)

0.139 (3.54)

free wheeling, and polarity protection applications

0.343 (8.70) Typ.

0.055 (1.40)

0.049 (1.25)

Dia.

0.114 (2.90)

0.106 (2.70)

Mechanical Data

Case: JEDEC TO-220AB molded plastic body

0.154 (3.90)

0.138 (3.50)

0.067

(1.70) Typ.

Terminals: Plated leads, solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

High temperature soldering guaranteed:

250°C/10 seconds, 0.25" (6.35mm) from case

Polarity: As marked

Mounting Position: Any

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

Weight: 0.08oz., 2.24g

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

0.638 (16.20)

0.598 (15.20)

0.634 (16.10)

0.618 (15.70)

0.331 (8.40) Typ.

0.370 (9.40)

0.354 (9.00)

1.161 (29.48)

1.105 (28.08)

0.118

(3.00) Typ.

0.102 (2.60)

0.087 (2.20)

0.523 (13.28)

PIN 1

PIN 3

PIN 2

CASE

0.507 (12.88)

0.035 (0.90)

0.028 (0.70)

Dimensions in inches

and (millimeters)

0.064 (1.62)

0.056 (1.42)

0.200 (5.08) Typ.

0.024 (0.60)

0.018 (0.45)

0.100

(2.54) Typ.

Maximum Ratings ^(T_C= 25°C unless otherwise noted)

MBR40H MBR40H MBR40H MBR40H

Parameter

Symbol

V_RRM

V_RWM

V_DC

35CT

45CT

50CT

60CT

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

Working peak reverse voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current Total device

I_F(AV)

(see fig. 1)

Per leg

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed

on rated load

I_FSM

350

320

Per leg

Peak repetitive reverse current per leg at t_p= 2µs, 1KH_Z

I_RRM

1.0

Peak non-repetitive reverse surge energy

E_RSM

(8/20µs waveform)

Per leg

Non-repetitive avalanche energy

at 25°C, I_AS= 3.0A, L=5mH

E_AS

22.5

Voltage rate of change (rated V_R)

dv/dt

10,000

V/µs

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

–65 to +175

°C

www.kersemi.com

12 3

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与MBR40H60CT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBR40H60CT-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBR40H60CT-E3/45	VISHAY	获取价格	DIODE 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBR40H60CT-E35/45	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO
MBR40H60PT	VISHAY	获取价格	Dual Schottky Barrier Rectifier
MBR40L100CT	SIRECT	获取价格	Power Schottky Rectifier - 40Amp 100Volt
MBR40L100PT	SIRECT	获取价格	Power Schottky Rectifier - 40Amp 100Volt
MBR40L15CW	VISHAY	获取价格	Schottky Rectifier, 2 x 20 A
MBR40L15CW	INFINEON	获取价格	SCHOTTKY RECTIFIER
MBR40L15CW_06	INFINEON	获取价格	SCHOTTKY RECTIFIER
MBR40L15CW6	INFINEON	获取价格	SCHOTTKY RECTIFIER

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