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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBR40H45CT-E3/45
MBR40H45CT-E3/45 PDF预览

MBR40H45CT-E3/45

更新时间： 2024-02-07 10:04:32
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
4页 100K
描述
Dual Common-Cathode Schottky Rectifiers

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MBR40H45CT-E3/45 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：350 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR40H45CT-E3/45 数据手册

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New PrModBucRt 40H35CT thru MBR40H60CT  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode Schottky Rectifiers  
High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
TO-220AB  
• Low power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
3
2
1
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage, high frequency rectifier of  
switching mode power supplies, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters or polarity protection application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
20 A x 2  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB  
VRRM  
35 V to 60 V  
350 A, 320 A  
0.55 V, 0.60 V  
100 µA  
IFSM  
VF at IF = 20 A  
IR  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
TJ max.  
175 °C  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Polarity: As marked  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL MBR40H35CT MBR40H45CT MBR40H50CT MBR40H60CT UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
35  
45  
50  
60  
V
Maximum average forward rectified  
current (Fig. 1)  
total device  
per diode  
40  
20  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms  
single half sine-wave superimposed on per diode  
rated load  
IFSM  
350  
320  
A
Peak repetitive reverse current per diode  
at tp = 2 µs, 1 kHz  
IRRM  
ERSM  
EAS  
1.0  
20  
A
Peak non-repetitive reverse surge  
per diode  
mJ  
mJ  
energy (8/20 µs waveform)  
Non-repetitive avalanche energy  
per diode  
22.5  
at 25 °C, IAS = 3.0 A, L = 5 mH  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Document Number: 88920  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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MBR40H45CT-E3/45 替代型号

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