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MBR40H45PT-E3/45

更新时间： 2024-09-26 11:11:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 105K
描述
Dual Common-Cathode Schottky Rectifier

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MBR40H45PT-E3/45 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AD
包装说明：R-PSFM-T3针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.59
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.55 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：40 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE

MBR40H45PT-E3/45 数据手册

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New Product  
MBR40H35PT thru MBR40H60PT  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode Schottky Rectifier  
High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
3
2
• Solder dip 260 °C, 40 s  
1
TO-247AD (TO-3P)  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
PIN 2  
CASE  
PIN 1  
PIN 3  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage, high frequency rectifier of  
switching mode power supplies, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters or polarity protection application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-247AD (TO-3P)  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
IF(AV)  
40 A  
VRRM  
IFSM  
35 V to 60 V  
400 A  
VF  
0.55 V, 0.60 V  
175 °C  
TJ max.  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL MBR40H35PT MBR40H45PT MBR40H50PT MBR40H60PT UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
V
V
V
A
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
IF(AV)  
40  
80  
Non-repetitive avalanche energy per diode  
at 25 °C, IAS = 4 A, L = 10 mH  
EAS  
mJ  
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load per diode  
IFSM  
400  
Peak repetitive reverse surge current per diode (1)  
IRRM  
2.0  
30  
1.0  
25  
A
Peak non-repetitive reverse energy (8/20 µs waveform)  
ERSM  
mJ  
Electrostatic discharge capacitor voltage human body  
model: C = 100 pF, R = 1.5 kΩ  
VC  
25  
kV  
Voltage rate of change at (rated VR)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
dV/dt  
TJ  
10 000  
V/µs  
°C  
- 65 to + 175  
- 65 to + 175  
TSTG  
°C  
Note:  
(1) 2.0 µs pulse width, f = 1.0 kHz  
Document Number: 88794  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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