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MBR40H50CT/45

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 50K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 20A, 50V V(RRM),

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MBR40H50CT/45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.92
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.6 V
最大非重复峰值正向电流：320 A最高工作温度：175 °C
最大输出电流：20 A最大重复峰值反向电压：50 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKYBase Number Matches：1

MBR40H50CT/45 数据手册

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MBR40H35CT thru MBR40H60CT  
New Product  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Dual Schottky Barrier Rectifiers  
Reverse Voltage 35V to 60V  
Forward Current 40A  
Max. Junction Temperature 175°C  
Features  
• Dual rectifier construction, positive center tap  
• Metal silicon junction, majority carrier conduction  
• Low power loss, high efficiency  
• Guardring for overvoltage protection  
• For use in high frequency inverters,  
TO-220AB (MBR40HxxCT)  
0.398 (10.10)  
0.185 (4.70)  
0.169 (4.30)  
0.382 (8.70)  
0.055 (1.40)  
0.047 (1.20)  
0.150 (3.80)  
0.139 (3.54)  
free wheeling, and polarity protection applications  
0.343 (8.70) Typ.  
0.055 (1.40)  
0.049 (1.25)  
Dia.  
0.114 (2.90)  
0.106 (2.70)  
Mechanical Data  
Case: JEDEC TO-220AB molded plastic body  
0.154 (3.90)  
0.138 (3.50)  
0.067  
(1.70) Typ.  
Terminals: Plated leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds, 0.25" (6.35mm) from case  
Polarity: As marked  
Mounting Position: Any  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Weight: 0.08oz., 2.24g  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
0.638 (16.20)  
0.598 (15.20)  
0.634 (16.10)  
0.618 (15.70)  
0.331 (8.40) Typ.  
0.370 (9.40)  
0.354 (9.00)  
PIN  
1
2
3
1.161 (29.48)  
1.105 (28.08)  
0.118  
(3.00) Typ.  
0.102 (2.60)  
0.087 (2.20)  
0.523 (13.28)  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
0.507 (12.88)  
0.035 (0.90)  
0.028 (0.70)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
0.064 (1.62)  
0.056 (1.42)  
0.200 (5.08) Typ.  
0.024 (0.60)  
0.018 (0.45)  
0.100  
(2.54) Typ.  
Maximum Ratings (TC = 25°C unless otherwise noted)  
MBR40H MBR40H MBR40H MBR40H  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
VRWM  
VDC  
35CT  
45CT  
50CT  
60CT  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
35  
45  
50  
60  
35  
45  
50  
60  
V
Maximum DC blocking voltage  
35  
45  
50  
60  
V
Maximum average forward rectified current Total device  
40  
20  
IF(AV)  
A
A
(see fig. 1)  
Per leg  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rated load  
IFSM  
350  
320  
Per leg  
Peak repetitive reverse current per leg at tp = 2µs, 1KHZ  
IRRM  
1.0  
20  
A
Peak non-repetitive reverse surge energy  
ERSM  
mJ  
(8/20µs waveform)  
Per leg  
Per leg  
Non-repetitive avalanche energy  
at 25°C, IAS = 3.0A, L=5mH  
EAS  
22.5  
mJ  
Voltage rate of change (rated VR)  
dv/dt  
10,000  
V/µs  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
–65 to +175  
°C  
Document Number 88920  
14-Jul-04  
www.vishay.com  
1
123

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与MBR40H50CT/45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR40H50CT-E35/45 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO
MBR40H50PT VISHAY

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 		Dual Schottky Barrier Rectifier
MBR40H50PT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 40 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PI
MBR40H60CT KERSEMI

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 		Dual rectifier construction, positive center tap
MBR40H60CT VISHAY

获取价格

 		Dual Schottky Barrier Rectifiers
MBR40H60CT-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBR40H60CT-E3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBR40H60CT-E35/45 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO
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