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MBR200100

更新时间： 2024-09-09 11:57:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 117K
描述
180 Amp Schottky Rectifier

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MBR200100 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.53
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X1最大非重复峰值正向电流：2500 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：180 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR200100 数据手册

 浏览型号MBR200100的Datasheet PDF文件第2页 
180 Amp Schottky Rectifier  
HS18380-HS183100  
D
G
Dim. Inches  
Millimeter  
J
Minimum Maximum Minimum Maximum Notes  
Std. Polarity  
Base is cathode  
1.52  
.725  
.605  
1.182  
.745  
.152  
38.61  
18.42  
15.37  
30.02  
18.92  
3.86  
39.62  
19.69  
15.88  
30.28  
19.18  
4.06  
A
B
C
D
E
F
1.56  
.775  
.625  
1.192  
.755  
.160  
B
Rev. Polarity  
Base is anode  
K
Sq.  
F
C
Dia.  
H
E
G
H
J
1/4-20 UNC-2B  
13.34  
.580  
.525  
.156  
14.73  
4.06  
3.96  
.160  
K
L
12.57  
3.05  
.495  
.120  
.505  
.130  
12.83  
3.30  
Dia.  
A
L
Working Peak Repetitive Peak  
Reverse Voltage Reverse Voltage  
Microsemi  
Catalog Number Part Number  
Idustry  
Schottky Barrier Rectifier  
Guard Ring Protection  
HS18380*  
183NQ080  
MBR20080  
80V  
80V  
180 Amperes/80 to 100 Volts  
175°C Junction Temperature  
Reverse Energy Tested  
ROHS Compliant  
HS18390*  
90V  
90V  
183NQ100  
MBR200100  
HS183100*  
100V  
100V  
*Add suffix R for Reverse Polarity  
Electrical Characteristics  
I
I
I
V
I
I
T
R
180 Amps  
2500 Amps  
2 Amps  
0.91 Volts  
100mA  
F(AV)  
FSM  
R(OV)  
FM  
RM  
C = 116°C, Square wave, 0JC = 0.32°C/W  
Average forward current  
Maximum surge current  
Maximum repetitive reverse current  
Max peak forward voltage  
Max peak reverse current  
Max peak reverse current  
T
8.3ms, half sine, J = 175°C  
f = 1 KHZ, 1µs square wave, J = 25°C  
I
T
T
FM = 180A: J = 25°C*  
V
T
RRM, J = 125°C*  
V
V
T
5mA  
4800pF  
RM  
RRM, J = 25°C  
C
T
Typical junction capacitance  
R = 5.0V, J = 25°C, f = 1MHz  
J
*Pulse test: Pulse width 300µsec, Duty cycle 2%  
Thermal and Mechanical Characteristics  
T
T
R
R
Storage temp range  
Operating junction temp range  
Max thermal resistance  
STG  
J
OJC  
-55°C to 175°C  
-55°C to 175°C  
0.32°C/W junction to case  
OCS  
Typical thermal resistance (greased)  
Terminal Torque  
0.12°C/W case to sink  
35-40 inch pounds  
Mounting Base Torque  
20-25 inch pounds  
Weight  
1.1 ounces (32 grams) typical  
www.microsemi.com  
January, 2011 - Rev. 5  
12

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