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MBR1050 PDF预览

MBR1050

更新时间： 2024-01-16 20:19:24
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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MBR1050 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.61其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR1050 数据手册

 浏览型号MBR1050的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1050 thru MBR1060  
Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers  
Dimensions TO-220AC  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
0.500 0.580  
0.560 0.650  
0.380 0.420  
0.139 0.161  
2.300 0.420  
0.100 0.135  
0.045 0.070  
12.70 14.73  
14.23 16.51  
9.66 10.66  
A
C
C(TAB)  
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
-
4.08  
6.85  
3.42  
1.77  
6.35  
0.89  
5.33  
4.82  
0.56  
2.49  
1.39  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
-
0.250  
0.025 0.035  
0.190 0.210  
0.140 0.190  
0.015 0.022  
0.080 0.115  
0.025 0.055  
0.64  
4.83  
3.56  
0.38  
2.04  
0.64  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
MBR1050  
MBR1060  
50  
35  
50  
60  
60  
42  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
IFSM  
dv/dt  
VF  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=125oC  
10  
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
150  
Voltage Rate Of Change (Rated VR)  
10000  
V/us  
V
IF=20A @TJ=25oC  
Maximum Forward  
0.95  
0.70  
IF=20A @TJ=125oC  
Voltage  
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
0.1  
25  
IR  
mA  
@TJ=125oC  
2.5  
oC/W  
pF  
oC  
ROJC  
CJ  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
400  
-55 to +150  
-55 to +175  
TJ  
TSTG  
oC  
NOTES: 1. Thermal Resistance Junction To Case.  
2. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton  
* Guard ring for transient protection  
* Low power loss, high efficiency  
* High current capability, low VF  
* High surge capacity  
* Case: TO-220AC molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* For use in low voltage, high frequency inverters, free  
whelling, and polarity protection applications  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR1050/45 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 50V V(RRM),
MBR1050CA THINKISEMI

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MBR1050CD DYELEC

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MBR1050CT TSC

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 		10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers

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