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MBR1050DD

更新时间： 2024-11-27 00:53:27
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纽航 - NIUHANG /
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描述
SCHOTTKY RECTIFIERS

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MBR1050DD 数据手册

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Niu Hang  
Electronic Co. Ltd  
Specification  
For Approval  
MBR1020DD THRU MBR10200DD  
SCHOTTKY RECTIFIERS  
20~200 Volts  
10 Ampers  
Marking  
VOLTAGE  
CURRENT  
TO-263(D2PAK)  
MBR10XXXDD  
FEATURES  
· Power pack  
· Metal silicon junction ,majority carrier conduction  
· Guard ring for overvoltage protection  
· Low power loss ,high efficiency  
· High current capability ,low forward voltage drop  
· High forward surge capability  
· High frequency operation  
XXXXX  
XXXXX  
·
Solder bath temperature 275℃ maximum，10s，per JESD22-B106  
（for TO-263/D2PAK package）  
· Component in accordance to RoHS 2011/65/EU  
MBR10XXXDD  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC TO-263(D2PAK)  
·
· Molding compound meets UL94V-0 flammability rating  
· Terminals: Lead solderable per J-STD-002 and JESD22-B102  
· Polarity: As marked  
· Mounting Torque: 10 in-Ibs maximum  
TYPICAL APPLICATIONS  
·
For use in low voltage ,high frequency inverters ,DC/DC  
converters,free wheeling ,and polarity protection applications  
Maximum Ratings and Electrical Characteristcs(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified )  
MBR  
1030  
DD  
MBR  
1020  
DD  
MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR  
Parameter  
Symbol  
1045  
1060  
Unit  
1040  
DD  
1050  
DD  
1080 10100 10150 10200  
DD DD DD DD  
80 100 150 200  
DD  
DD  
V RRM  
V RMS  
V DC  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
30  
21  
30  
V
V
V
40  
28  
40  
45  
32  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
20  
14  
20  
56  
80  
70  
105  
150  
140  
200  
Maximum DC blocking voltage  
60  
100  
Per leg  
5
Maximum average forward rectified current  
(see fig.1)  
IF (AV)  
A
Total device  
10  
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method at rated TL)  
I FSM  
V F  
120  
A
V
0.64  
0.68  
0.85  
0.9  
5
Maximum instantaneous forward voltage at 5.0 A (Note 1)  
60  
20  
10  
15  
uA  
mA  
pF  
Maximum instantaneous reversecurrent at rated DC blocking  
voltage(Note 2)  
I RRM  
10  
C J  
T J  
700  
150  
-65 to +150  
Typical junction capacitance (Note 3)  
Operating junction and Storage temperature range  
Storage temperature range  
175  
℃
T STG  
-65 to +175  
Thermal Characteristcs (Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified )  
TO-263(D 2 PAK)  
Parameter  
Symbol  
Unit  
2.5  
R θJC  
R θJA  
Typical thermal resistance(Note 2)  
℃/W  
52.5  
Notes1.Pulse test: 300 μs pulse width,1% duty cycle  
2.Pulse test: pulse width≤40ms  
3.Thermal resistance from junction to case  
Http://www.nhel.com.cn  
Data: 2014/10/20  
Rev.: A/1  
Page:  
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