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MBR1050CT PDF预览

MBR1050CT

更新时间： 2024-11-22 22:46:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 68K
描述
10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR1050CT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：5.31Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MBR1050CT 数据手册

 浏览型号MBR1050CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1030CT - MBR1060CT  
10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
TO-220AB  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
L
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
¾
Max  
15.88  
10.67  
3.43  
B
M
C
D
E
·
·
K
A
6.86  
6.35  
1
2
3
G
H
J
12.70  
2.29  
0.51  
14.73  
2.79  
G
J
N
1.14  
Mechanical Data  
K
L
3.53Æ 4.09Æ  
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 2.24 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
3.56  
1.14  
0.30  
2.03  
4.83  
1.40  
0.64  
2.92  
H
H
P
M
N
P
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
Case  
·
·
·
·
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
1030CT 1035CT 1040CT 1045CT 1050CT 1060CT  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
10  
@ TC = 105°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
IFSM  
IRRM  
VFM  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
125  
1.0  
A
A
V
Repetitive Peak Reverse Surge Current  
@ t £ 2.0ms  
Forward Voltage Drop  
@ IF = 5.0A, TC = 125°C  
@ IF = 5.0A, TC  
@ IF = 10A, TC  
0.57  
0.70  
0.84  
0.70  
0.80  
0.95  
=
=
25°C  
25°C  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC  
=
25°C  
0.1  
15  
IRM  
mA  
@ TC = 125°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
150  
30  
pF  
K/W  
V/ms  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
dV/dt  
Tj, TSTG  
1000  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS30027 Rev. A-2  
1 of 2  
MBR1030CT-MBR1060CT  
12

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MBR1050CT 替代型号

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