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M5M5V416BTP-85LI PDF预览

M5M5V416BTP-85LI

更新时间： 2024-11-10 22:55:35
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 112K
描述
4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5V416BTP-85LI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.85Is Samacsys：N
最长访问时间：85 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00004 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M5M5V416BTP-85LI 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
revision-P04, ' 98.12.16  
M5M5V416BTP,RT  
PRELIMINARY  
Notice: This is not a final specification.  
Some parametric limits are subject to change  
4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
The M5M5V416B is a f amily of low v oltage 4-Mbit static RAMs  
organized as 262,144-words by 16-bit, f abricated by Mitsubishi's  
high-perf ormance 0.25µm CMOS technology .  
Single +2.7~+3.6V power supply  
Small stand-by current: 0.3µA(3V,ty p.)  
No clocks, No ref resh  
The M5M5V416B is suitable f or memory applications where a  
simple interf acing , battery operating and battery backup are the  
important design objectiv es.  
M5M5V416BTP,RT are packaged in a 44-pin 400mil thin small  
outline package. M5M5V416BTP (normal lead bend ty pe package)  
, M5M5V416BRT (rev erse lead bend ty pe package) , both ty pes  
are v ery easy to design a printed circuit board.  
From the point of operating temperature, the f amily is div ided into  
three v ersions; "Standard", "W-v ersion", and "I-v ersion". Those are  
summarized in the part name table below.  
Data retention supply v oltage=2.0V to 3.6V  
All inputs and outputs are TTL compatible.  
Easy memory expansion by S1, S2, BC1 and BC2  
Common Data I/O  
Three-state outputs: OR-tie capability  
OE prev ents data contention in the I/O bus  
Process technology: 0.25µm CMOS  
Package: 44 pin 400mil TSOP (II)  
Activ e  
Stand-by current Icc(PD), Vcc=3.0V  
ty pical *  
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C  
Version,  
Power  
Access time  
max.  
current  
Icc1  
(3.0V, ty p.)  
Ratings (max.)  
Part name  
Operating  
Supply  
temperature  
70ns  
85ns  
100ns  
70ns  
85ns  
100ns  
70ns  
85ns  
100ns  
70ns  
85ns  
100ns  
70ns  
85ns  
100ns  
70ns  
85ns  
100ns  
M5M5V416BTP , RT -70L  
M5M5V416BTP , RT -85L  
---  
---  
---  
--- 20µA ---  
2.7 ~ 3.6V  
Standard M5M5V416BTP , RT -10L  
M5M5V416BTP , RT -70H  
0 ~ +70°C  
M5M5V416BTP , RT -85H  
M5M5V416BTP , RT -10H  
M5M5V416BTP , RT -70LW  
M5M5V416BTP , RT -85LW  
0.3µA 1µA  
1µA 3µA 10µA ---  
2.7 ~ 3.6V  
2.7 ~ 3.6V  
---  
---  
---  
--- 20µA 40µA  
M5M5V416BTP , RT -10LW  
40mA  
(10MHz)  
5mA  
W-v ersion  
-20 ~ +85°C M5M5V416BTP , RT -70HW  
M5M5V416BTP , RT -85HW  
0.3µA 1µA  
1µA 3µA 10µA 20µA  
2.7 ~ 3.6V  
2.7 ~ 3.6V  
2.7 ~ 3.6V  
M5M5V416BTP , RT -10HW  
M5M5V416BTP , RT -70LI  
M5M5V416BTP , RT -85LI  
(1MHz)  
---  
---  
---  
--- 20µA 40µA  
I-v ersion  
M5M5V416BTP , RT -10LI  
-40 ~ +85°CM5M5V416BTP , RT -70HI  
M5M5V416BTP , RT -85HI  
0.3µA 1µA  
1µA 3µA 10µA 20µA  
M5M5V416BTP , RT -10HI  
* "ty pical" parameter is sampled, not 100% tested.  
PIN CONFIGURATION  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
1
2
3
4
5
6
7
8
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
A4  
A3  
A2  
A5  
A6  
A7  
OE  
A5  
A6  
A7  
OE  
Pin  
Function  
A1  
A0  
BC2  
BC1  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
GND  
Vcc  
BC2  
BC1  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
GND  
Vcc  
A0 ~ A17  
Address input  
S1  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
Vcc  
S1  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
Vcc  
DQ1 ~ DQ16 Data input / output  
Chip select input 1  
Chip select input 2  
Write control input  
Output enable input  
Lower By te (DQ1 ~ 8)  
Upper By te (DQ9 ~ 16)  
Power supply  
S1  
S2  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
GND  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
WE  
GND  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
WE  
W
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
S2  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
S2  
OE  
BC1  
BC2  
Vcc  
A15  
A15  
A8  
A8  
A14  
A14  
A9  
A9  
A13  
A13  
A10  
A10  
GND  
Ground supply  
A12  
A12  
A11  
A11  
A16  
A16  
A17  
A17  
Outline: 44P3W-H/J  
NC: No Connection  
44P3W-H  
44P3W-J  
1
MITSUBISHI ELECTRIC  
1234567...11

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与M5M5V416BTP-85LI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M5V416BTP-85LW MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
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M5M5V416BWG-10LI MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M5V416BWG-10LW MITSUBISHI

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