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M5M5V4R04J-12

更新时间： 2024-02-02 17:25:02
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 59K
描述
4194304-BIT (1048576-WORD BY 4-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5V4R04J-12 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ32,.44
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.87Is Samacsys：N
最长访问时间：12 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：4功能数量：1
端子数量：32字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ32,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.16 mA最大供电电压 (Vsup)：3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

M5M5V4R04J-12 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M5V4R04J-12,-15  
1997.11.20 Rev.F  
4194304-BIT (1048576-WORD BY 4-BIT) CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The M5M5V4R04J is a family of 1048576-word by 4-bit static  
RAMs, fabricated with the high performance CMOS silicon gate  
process and designed for high speed application.  
The M5M5V4R04J is offered in a 32-pin plastic small outline J-  
lead package(SOJ).  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
A0  
1
2
32 A19  
31  
A1  
A2  
A3  
A4  
A18  
A17  
address  
inputs  
address  
inputs  
30  
3
4
5
29  
28  
27  
A16  
A15  
OE  
These device operate on a single 3.3V supply, and are directly  
TTL compatible. They include a power down feature as well.  
FEATURES  
chip select  
input  
output enable  
input  
6
7
8
S
DQ1  
VCC  
GND  
DQ2  
W
data inputs/  
outputs  
26  
25  
24  
DQ4 data inputs/  
GND  
VCC  
outputs  
(3.3V)  
(0V)  
• Fast access time  
M5M5V4R04J-12 •••• 12ns(max)  
M5M5V4R04J-15 •••• 15ns(max)  
(0V)  
9
(3.3V)  
data inputs/  
data inputs/  
10  
23 DQ3  
outputs  
• Low power dissipation  
Active •••••••••• 297mW(typ)  
Stand by ••••••• 3.3mW(typ)  
outputs  
22  
11  
12  
13  
A14  
A13  
write control  
input  
21  
A5  
A6  
A7  
A8  
• Single +3.3V power supply  
• Fully static operation : No clocks, No refresh  
• Common data I/O  
address  
inputs  
20 A12  
address  
inputs  
19  
14  
15  
16  
A11  
18 A10  
• Easy memory expansion by S  
17  
NC  
A9  
• Three-state outputs : OR-tie capability  
• OE prevents data contention in the I/O bus  
• Directly TTL compatible : All inputs and outputs  
Outline 32P0K(SOJ)  
APPLICATION  
High-speed memory units  
PACKAGE  
32pin 400mil SOJ  
BLOCK DIAGRAM  
DQ1  
7
A0  
1
2
DQ2  
DQ3  
DQ4  
10  
23  
26  
A1  
A2  
3
MEMORY ARRAY  
512 ROWS  
8192 COLUMNS  
A3  
A4  
A5  
4
address  
inputs  
data  
5
inputs/  
outputs  
12  
13  
14  
15  
A6  
A7  
A8  
COLUMN I/O CIRCUITS  
S
6
COLUMN ADDRESS  
DECODERS  
8
VCC(3.3V)  
GND(0V)  
W
11  
24  
COLUMN INPUT BUFFERS  
9
OE 27  
25  
16 18 19  
31 32  
20 21 22 28 29 30  
A9 A10 A11A12 A13A14 A15 A16 A17 A18 A19  
address  
inputs  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
123456

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与M5M5V4R04J-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M5V4R04J-15 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (1048576-WORD BY 4-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M5V4R08J-12 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
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M5M5V4R08J-20 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M5V5636GP-13 RENESAS

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M5M5V5636GP-16#B0 RENESAS

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