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M5M5V4R01J-12

更新时间： 2024-02-20 11:59:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 58K
描述
4194304-BIT (4194304-WORD BY 1-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5V4R01J-12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ32,.44
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：12 nsI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：1功能数量：1
端子数量：32字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX1输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ32,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.01 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3.13 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

M5M5V4R01J-12 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M5V4R01J-12,-15  
1997.11.20 Rev.F  
4194304-BIT (4194304-WORD BY 1-BIT) CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The M5M5V4R01J is a family of 4194304-word by 1-bit static  
RAMs, fabricated with the high performance CMOS silicon gate  
process and designed for high speed application.  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
A0  
1
2
32 A21  
31 A20  
The M5M5V4R01J is offered in a 32-pin plastic small outline J-  
lead package(SOJ).  
A1  
A2  
A3  
A4  
30  
address  
inputs  
3
4
5
A19  
address  
inputs  
29  
28  
27  
A18  
A17  
A16  
These device operate on a single 3.3V supply, and are directly  
TTL compatible. They include a power down feature as well.  
A5  
S
VCC  
GND  
D
6
7
8
chip select  
input  
output enable  
input  
(0V)  
26  
25  
24  
FEATURES  
OE  
GND  
VCC  
(3.3V)  
• Fast access time  
M5M5V4R01J-12 •••• 12ns(max)  
M5M5V4R01J-15 •••• 15ns(max)  
(0V)  
9
(3.3V)  
data outputs  
data inputs  
10  
23 Q  
• Low power dissipation  
Active •••••••••• 297mW(typ)  
Stand by •••••••••• 3.3mW(typ)  
22  
11  
12  
13  
A15  
write control  
input  
W
A6  
A7  
A8  
A9  
A10  
21  
A14  
A13  
A12  
• Single +3.3V power supply  
• Fully static operation : No clocks, No refresh  
• Test mode is available  
address  
inputs  
20  
19  
address  
inputs  
14  
15  
16  
18 A11  
17  
• Easy memory expansion by S  
byte control  
input  
• Three-state outputs : OR-tie capability  
• OE prevents data contention in the I/O bus  
• Directly TTL compatible : All inputs and outputs  
B1/B4  
Outline 32P0K  
APPLICATION  
High-speed memory units  
PACKAGE  
32pin 400mil SOJ  
BLOCK DIAGRAM  
A0  
1
2
A1  
A2  
3
MEMORY ARRAY  
512 ROWS  
8192 COLUMNS  
A3  
A4  
A5  
data  
outputs  
4
address  
inputs  
Q
23  
5
6
A6  
A7  
A8  
12  
13  
14  
COLUMN I/O CIRCUITS  
S
7
data  
inputs/  
D
COLUMN ADDRESS  
10  
DECODERS  
W
11  
8
VCC(3.3V)  
GND(0V)  
COLUMN INPUT BUFFERS  
24  
OE 26  
B1/B4 17  
9
25  
15 16 18  
29 30 31 32  
19 20 21 22 27 28  
A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16 A17 A18 A19 A20 A21  
address inputs  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
123456

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与M5M5V4R01J-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M5V4R01J-15 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (4194304-WORD BY 1-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M5V4R04J-12 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (1048576-WORD BY 4-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M5V4R04J-15 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (1048576-WORD BY 4-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M5V4R08J-12 MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
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