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Datasheet > 存储 > SRAM> M5M5V4R08J-20
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M5M5V4R08J-20

更新时间： 2024-09-23 22:06:51
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 59K
描述
4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5V4R08J-20 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ36,.44
针数：36Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：20 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J36JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：36字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ36,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.01 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3.13 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

M5M5V4R08J-20 数据手册

 浏览型号M5M5V4R08J-20的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M5M5V4R08J-20的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M5M5V4R08J-20的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M5M5V4R08J-20的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M5M5V4R08J-20的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M5M5V4R08J-20的Datasheet PDF文件第7页 
MITSUBISHI LSIs  
M5M5V4R08J-12,-15,-20  
1997.02.06 Rev.D  
P R E LIMINAR Y  
Notice: This is not a final specification.  
Some parametric limits are subject to change  
4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
P IN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
The M5M5V4R08J is a family of 524288-word by 8-bit static  
RAMs, fabricated with the high performance CMOS silicon  
gate process and designed for high speed application.  
The M5M5V4R08J is offered in a 36-pin plastic small outline  
J-lead package(SOJ).  
1
2
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
NC  
A18  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
address  
inputs  
3
4
5
A17  
A16  
address  
inputs  
These device operate on a single 3.3V supply, and are directly  
TTL compatible. They include a power down feature as well.  
A15  
OE  
output enable  
input  
data  
inputs/  
outputs  
(0V)  
chip select  
input  
data inputs/  
outputs  
6
7
8
S
DQ1  
DQ2  
VCC  
GND  
DQ3  
DQ4  
W
A5  
A6  
A7  
DQ8  
DQ7  
GND  
VCC  
DQ6  
DQ5  
FEATURES  
• Fast access time  
M5M5V4R08J-12 •••• 12ns(max)  
M5M5V4R08J-15 •••• 15ns(max)  
M5M5V4R08J-20 •••• 20ns(max)  
(3.3V)  
9
(0V)  
data  
inputs/  
outputs  
write control  
input  
10  
(3.3V)  
data  
inputs/  
outputs  
11  
12  
13  
• Low power dissipation  
Active •••••••••• 363mW(typ)  
Stand by ••••••• 3.3mW(typ)  
A14  
A13  
A12  
A11  
• Single +3.3V power supply  
• Fully static operation : No clocks, No refresh  
• Common data I/O  
14  
15  
16  
address  
inputs  
address  
inputs  
17  
18  
20  
19  
• Easy memory expansion by S  
A10  
NC  
A8  
A9  
• Three-state outputs : OR-tie capability  
• OE prevents data contention in the I/O bus  
• Directly TTL compatible : All inputs and outputs  
Outline 36P0K (SOJ)  
APPLICATION  
High-speed memory units  
PACKAGE  
36pin 400mil SOJ  
BLOCK DIAGRAM  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
7
A0  
1
2
8
A1  
A2  
11  
12  
25  
26  
29  
30  
3
MEMORY ARRAY  
A3  
A4  
A5  
4
address  
inputs  
512 ROWS  
5
8192 COLUMNS  
14  
15  
16  
17  
A6  
A7  
A8  
data  
inputs/  
outputs  
COLUMN I/O CIRCUITS  
S
6
COLUMN ADDRESS  
DECODERS  
9
(3.3V)  
VCC  
13  
W
27  
COLUMN INPUT BUFFERS  
10  
28  
GND(0V)  
OE 31  
18 20 21  
22 23 24 32 33 34 35  
A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16 A16  
A17  
address inputs  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M5V5636GP-13 RENESAS

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