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M5M5V416BUG-70HI

更新时间： 2024-01-13 07:36:40
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 92K
描述
4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5V416BUG-70HI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA, BGA48,6X8,30
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.82最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

M5M5V416BUG-70HI 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
revision-01, 17th July '00  
M5M5V416BUG - 70H I  
4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM  
Those are summarized in the part name table below.  
DESCRIPTION  
The M5M5V416B is a f amily of low v oltage 4-Mbit static RAMs  
organized as 262,144-words by 16-bit, f abricated by Mitsubishi's  
high-perf ormance 0.25µm CMOS technology .  
FEATURES  
Single +2.7~+3.6V power supply  
Small stand-by current: 0.3µA(3V,ty p.)  
No clocks, No ref resh  
The M5M5V416B is suitable f or memory applications where a  
simple interfacing , battery operating and battery backup are the  
important design objectiv es.  
Data retention supply v oltage =2.0V to 3.6V  
All inputs and outputs are TTL compatible.  
Easy memory expansion by S1, S2, BC1 and BC2  
Common Data I/O  
M5M5V416BUG is packaged in a CSP (chip scale package),  
with the outline of 7mm x 8.5mm, ball matrix of 6 x 8 (48pin) and  
ball pitch of 0.75mm. It giv es the best solution f or a compaction  
of mounting area as well as f lexibility of wiring pattern of printed  
circuit boards.  
Three-state outputs: OR-tie capability  
OE prev ents data contention in the I/O bus  
Process technology: 0.25µm CMOS  
Package: 48pin 7mm x 8.5mm CSP  
Activ e  
Stand-by current Icc(PD), Vcc=3.0V  
ty pical *  
Version,  
Power  
Access time  
current  
Icc1  
Ratings (max.)  
Operating  
Part name  
Supply  
max.  
temperature  
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C (3.0V, ty p.)  
50mA  
I-v ersion  
-40 ~ +85°C  
(10MHz)  
70ns  
0.3µA 1µA  
1µA 3µA 15µA 30µA  
2.7 ~ 3.6V  
M5M5V416BUG -70HI  
7mA  
(1MHz)  
* "ty pical" parameter is sampled, not 100% tested.  
PIN CONFIGURATION  
(TOP VIEW)  
1
2
3
4
5
6
A0  
A2  
A
BC1  
OE  
A1  
S2  
Pin  
Function  
DQ9  
A3  
A5  
A4  
BC2  
S1  
DQ1  
DQ3  
VCC  
GND  
B
C
D
E
A0 ~ A17 Address input  
DQ1 ~ DQ16  
Data input / output  
Chip select input 1  
Chip select input 2  
Write control input  
Output enable input  
Lower By te (DQ1 ~ 8)  
Upper By te (DQ9 ~ 16)  
Power supply  
DQ11  
A6  
A7  
DQ2  
DQ4  
DQ5  
DQ10  
S1  
S2  
GND DQ12 A17  
W
DQ13 GND  
A16  
VCC  
OE  
DQ15 DQ14  
A14  
A12  
A9  
A15  
A13  
A10  
DQ6  
W
DQ7  
BC1  
BC2  
Vcc  
GND  
F
G
H
DQ16  
N.C.  
N.C.  
A8  
DQ8  
N.C.  
Ground supply  
A11  
Outline: 48FJA  
NC: No Connection  
1
MITSUBISHI ELECTRIC  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M5V416BWG MITSUBISHI

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 		4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM
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