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M5M5V416CWG-70HI

更新时间： 2024-09-24 03:27:35

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瑞萨 - RENESAS		存储静态存储器
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9页	252K
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4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5V416CWG-70HI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	8.5 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.06 mm
最大待机电流：	8e-7 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

M5M5V416CWG-70HI 数据手册

RENESAS LSIs

2003.08.21

Ver. 7.0

M5M5V416CWG -55HI, -70HI

4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION

FEATURES

- Single 2.7~3.6V power supply

The M5M5V416CWG is a f amily of low v oltage 4-Mbit static RAMs

organized as 262144-words by 16-bit, f abricated by Renesas's

high-perf ormance 0.18µm CMOS technology .

- Small stand-by current: 0.2µA (3.00V, ty p.)

- No clocks, No ref resh

- Data retention supply v oltage =2.0V

- All inputs and outputs are TTL compatible.

- Easy memory expansion by S1#, S2, BC1# and BC2#

- Common Data I/O

The M5M5V416C is suitable f or memory applications where a

simple interfacing , battery operating and battery backup are the

important design objectiv es.

M5M5V416CWG is packaged in a CSP (chip scale package),

with the outline of 7.0mm x 8.5mm, ball matrix of 6 x 8 (48ball)

and ball pitch of 0.75mm. It giv es the best solution f or

a compaction of mounting area as well as f lexibility of wiring

pattern of printed circuit boards.

- Three-state outputs: OR-tie capability

- OE# prev ents data contention in the I/O bus

- Process technology: 0.18µm CMOS

- Package: 48ball 7.0mm x 8.5mm CSP

Activ e

Stand-by current (µA)

Version,

Power

Access time

max.

current

Icc1

* Typical(3.0V)

Ratings (max. @3.6V)

Part name

Operating

Supply

Voltage

25°C 40°C

25°C 40°C 70°C 85°C

(3.0V, ty p.)

temperature

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0V

3.3V

30mA

(10MHz)

5mA

55ns

70ns

M5M5V416CWG -55HI

M5M5V416CWG -70HI

I-version

-40 ~ +85°C

2.7 ~ 3.6V

0.2

0.4

(1MHz)

3.6V

2.5

4.0

* Typical parameter indicates the value for the center

of distribution, and not 100% tested.

PIN CONFIGURATION

(TOP VIEW)

BC1#

OE#

DQ16

DQ1

DQ3

BC2#

DQ15

DQ13

DQ12

DQ10

S1#

DQ2

Function

Address input

A0 ~ A17

DQ14

Data input / output

DQ1 ~ DQ16

A17

GND

VCC

GND

DQ4

DQ5

Chip select input 1

Chip select input 2

Write control input

Output enable input

Lower By te (DQ1 ~ 8)

Upper By te (DQ9 ~ 16)

Power supply

S1#

NC or

GND

A16

OE#

DQ11

A14

A12

A15

A13

A10

DQ7

DQ6

DQ8

N.C.

BC1#

BC2#

Vcc

DQ9

N C

N.C.

A11

Ground supply

GND

Outline: 48FJA

NC: No Connection

*Don't connect E3 ball to voltage level more than 0V.

12 3 4 5 6 7...9

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