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M58LW064C110N1E

更新时间： 2024-11-13 21:04:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
61页 479K
描述
4MX16 FLASH 3V PROM, 110ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56

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M58LW064C110N1E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
针数：56Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.25最长访问时间：110 ns
其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G56长度：18.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：64端子数量：56
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：4 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/3.3,3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：64K
最大待机电流：0.00004 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：14 mm
Base Number Matches：1

M58LW064C110N1E 数据手册

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M58LW064C  
64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ WIDE x16 DATA BUS for HIGH BANDWIDTH  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7 to 3.6V core supply voltage for Pro-  
DD  
gram, Erase and Read operations  
– V  
= 1.8 to V for I/O Buffers  
DD  
DDQ  
■ SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS READ  
– Synchronous Burst read  
TSOP56 (N)  
14 x 20 mm  
– Asynchronous Random Read  
– Asynchronous Address Latch Controlled  
Read  
– Page Read  
TBGA  
■ ACCESS TIME  
– Synchronous Burst Read up to 56MHz  
– Asynchronous Page Mode Read 110/25ns  
– Random Read 110ns  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
■ PROGRAMMING TIME  
– 16 Word Write Buffer  
– 12µs Word effective programming time  
■ 64 UNIFORM 64 KWord MEMORY BLOCKS  
■ ENHANCED SECURITY  
– Block Protection/ Unprotection  
– Smart Protection: irreversible block locking  
system  
– V  
signal for Program Erase Enable  
PEN  
– 128 bit Protection Register with 64 bit Unique  
Code in OTP area  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code M58LW064C : 8820h  
March 2003  
1/61  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58LW064C110N1T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory
M58LW064C110N6 STMICROELECTRONICS

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M58LW064C110N6E STMICROELECTRONICS

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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 110ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
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