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Datasheet > 存储 > 闪存> M58LW128A150N1
M58LW128A150N1 PDF预览

M58LW128A150N1

更新时间： 2024-11-13 12:59:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
65页 878K
描述
8MX16 FLASH 3V PROM, 150ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56

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M58LW128A150N1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
针数：56Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最长访问时间：150 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：128端子数量：56
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小：8 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2/3.3,3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：64K
最大待机电流：0.00012 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：14 mmBase Number Matches：1

M58LW128A150N1 数据手册

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M58LW128A  
M58LW128B  
128 Mbit (8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst)  
3V Supply Flash Memories  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■ WIDE DATA BUS for HIGH BANDWIDTH  
– M58LW128A: x16  
Figure 1. Packages  
– M58LW128B: x16/x32  
■ SUPPLY VOLTAGE  
– V = 2.7 to 3.6V core supply voltage for Pro-  
DD  
gram, Erase and Read operations  
TSOP56 (N)  
14 x 20mm  
– V  
= 1.8 to V for I/O Buffers  
DD  
DDQ  
■ SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS READ  
– Synchronous Burst read  
– Pipelined Synchronous Burst Read  
– Asynchronous Random Read  
TBGA  
– Asynchronous Address Latch Controlled  
Read  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13mm  
– Page Read  
■ ACCESS TIME  
– Synchronous Burst Read up to 66MHz  
– Asynchronous Page Mode Read 150/25ns  
– Random Read 150ns  
TBGA  
■ PROGRAMMING TIME  
TBGA80 (ZA)  
10 x 13mm  
– 16 Word or 8 Double-Word Write Buffer  
– 12µs Word effective programming time  
■ 128 UNIFORM 64 KWord MEMORY BLOCKS  
■ BLOCK PROTECTION/ UNPROTECTION  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ OTP SECURITY AREA  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code M58LW128A: 8818h  
– Device Code M58LW128B: 8819h  
February 2003  
1/65  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...65

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M58LW128A150N1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
E28F128J3C-150 INTEL

功能相似

 Intel StrataFlash Memory (J3)

与M58LW128A150N1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58LW128A150N1E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW128A150N1F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW128A150N1T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW128A150N6 STMICROELECTRONICS

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 		8MX16 FLASH 3V PROM, 150ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
M58LW128A150N6E STMICROELECTRONICS

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