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M58LW064C110N6F

更新时间： 2024-09-25 21:04:35

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
61页	479K
描述
4MX16 FLASH 3V PROM, 110ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56

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M58LW064C110N6F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
针数：	56	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.23	最长访问时间：	110 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	长度：	18.4 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	64	端子数量：	56
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP56,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	4 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/3.3,3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.00004 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

M58LW064C110N6F 数据手册

M58LW064C

64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■ WIDE x16 DATA BUS for HIGH BANDWIDTH

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7 to 3.6V core supply voltage for Pro-

gram, Erase and Read operations

– V

= 1.8 to V for I/O Buffers

DDQ

■ SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS READ

– Synchronous Burst read

TSOP56 (N)

14 x 20 mm

– Asynchronous Random Read

– Asynchronous Address Latch Controlled

Read

– Page Read

TBGA

■ ACCESS TIME

– Synchronous Burst Read up to 56MHz

– Asynchronous Page Mode Read 110/25ns

– Random Read 110ns

TBGA64 (ZA)

10 x 13 mm

■ PROGRAMMING TIME

– 16 Word Write Buffer

– 12µs Word effective programming time

■ 64 UNIFORM 64 KWord MEMORY BLOCKS

■ ENHANCED SECURITY

– Block Protection/ Unprotection

– Smart Protection: irreversible block locking

system

– V

signal for Program Erase Enable

PEN

– 128 bit Protection Register with 64 bit Unique

Code in OTP area

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ COMMON FLASH INTERFACE

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Device Code M58LW064C : 8820h

March 2003

1/61

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