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M58LW064D110N6P

更新时间： 2024-09-25 19:47:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
50页 340K
描述
4MX16 FLASH 3V PROM, 110ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56

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M58LW064D110N6P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
针数：56Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.25最长访问时间：110 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDSO-G56
长度：18.4 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：56
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
宽度：14 mmBase Number Matches：1

M58LW064D110N6P 数据手册

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M58LW064D  
64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■
WIDE x8 or x16 DATA BUS for HIGH  
Figure 1. Packages  
BANDWIDTH  
■
SUPPLY VOLTAGE  
–
VDD = VDDQ = 2.7 to 3.6V for Program,  
Erase and Read operations  
■
■
ACCESS TIME  
–
–
Random Read 110ns  
Page Mode Read 110/25ns  
TSOP56 (N)  
14 x 20 mm  
PROGRAMMING TIME  
–
–
16 Word Write Buffer  
12µs Word effective programming time  
■
■
64 UNIFORM 64 KWord/128KByte MEMORY  
BLOCKS  
ENHANCED SECURITY  
TBGA  
–
–
–
Block Protection/ Unprotection  
PEN signal for Program Erase Enable  
128 bit Protection Register with 64 bit  
Unique Code in OTP area  
V
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
■
■
■
PROGRAM and ERASE SUSPEND  
COMMON FLASH INTERFACE  
100, 000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
Manufacturer Code: 0020h  
Device Code M58LW064D: 0017h  
■
PACKAGES  
–
Compliant with Lead-Free Soldering  
Processes  
–
Lead-Free Versions  
September 2004  
1/50  
 
 
1234567...50

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58LW064D110N6T STMICROELECTRONICS

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