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M58LW128A150ZA1E PDF预览

M58LW128A150ZA1E

更新时间： 2024-11-12 22:30:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
65页 878K
描述
128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories

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M58LW128A150ZA1E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64
针数：64Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.77最长访问时间：150 ns
其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLEJESD-30 代码：R-PBGA-B64
长度：13 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：64
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

M58LW128A150ZA1E 数据手册

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M58LW128A  
M58LW128B  
128 Mbit (8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst)  
3V Supply Flash Memories  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■ WIDE DATA BUS for HIGH BANDWIDTH  
– M58LW128A: x16  
Figure 1. Packages  
– M58LW128B: x16/x32  
■ SUPPLY VOLTAGE  
– V = 2.7 to 3.6V core supply voltage for Pro-  
DD  
gram, Erase and Read operations  
TSOP56 (N)  
14 x 20mm  
– V  
= 1.8 to V for I/O Buffers  
DD  
DDQ  
■ SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS READ  
– Synchronous Burst read  
– Pipelined Synchronous Burst Read  
– Asynchronous Random Read  
TBGA  
– Asynchronous Address Latch Controlled  
Read  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13mm  
– Page Read  
■ ACCESS TIME  
– Synchronous Burst Read up to 66MHz  
– Asynchronous Page Mode Read 150/25ns  
– Random Read 150ns  
TBGA  
■ PROGRAMMING TIME  
TBGA80 (ZA)  
10 x 13mm  
– 16 Word or 8 Double-Word Write Buffer  
– 12µs Word effective programming time  
■ 128 UNIFORM 64 KWord MEMORY BLOCKS  
■ BLOCK PROTECTION/ UNPROTECTION  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ OTP SECURITY AREA  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code M58LW128A: 8818h  
– Device Code M58LW128B: 8819h  
February 2003  
1/65  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...65

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与M58LW128A150ZA1E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58LW128A150ZA1F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW128A150ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW128A150ZA6 STMICROELECTRONICS

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 		8MX16 FLASH 3V PROM, 150ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64
M58LW128A150ZA6E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW128A150ZA6F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW128A150ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW128AN STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW128B STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW128B150N1E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LW128B150N1F STMICROELECTRONICS

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