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Datasheet > 存储 > SRAM> M48Z35-70MH1TR
M48Z35-70MH1TR PDF预览

M48Z35-70MH1TR

更新时间： 2024-11-12 22:08:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
18页 137K
描述
256 Kbit 32Kb x8 ZEROPOWER SRAM

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M48Z35-70MH1TR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：0.330 INCH, SNAPHAT, PLASTIC, SOH-28针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.5
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：18.1 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.05 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.75 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8.56 mmBase Number Matches：1

M48Z35-70MH1TR 数据手册

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M48Z35  
M48Z35Y  
®
256 Kbit (32Kb x8) ZEROPOWER SRAM  
■ INTEGRATED ULTRA LOW POWER SRAM,  
SNAPHAT (SH)  
Battery  
POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT and  
BATTERY  
■ READ CYCLE TIME EQUALS WRITE CYCLE  
TIME  
■ AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT  
and WRITE PROTECTION  
28  
■ WRITE PROTECT VOLTAGES  
(V  
PFD  
= Power-fail Deselect Voltage):  
1
28  
– M48Z35: 4.50V ≤ V  
≤ 4.75V  
PCDIP28 (PC)  
PFD  
1
Battery CAPHAT  
– M48Z35Y: 4.20V ≤ V  
≤ 4.50V  
PFD  
SOH28 (MH)  
■ SELF-CONTAINED BATTERY in the CAPHAT  
DIP PACKAGE  
■ PACKAGING INCLUDES a 28-LEAD SOIC and  
®
SNAPHAT TOP (to be Ordered Separately)  
Figure 1. Logic Diagram  
■ SOIC PACKAGE PROVIDES DIRECT  
CONNECTION for a SNAPHAT TOP which  
CONTAINS the BATTERY and CRYSTAL  
■ PIN and FUNCTION COMPATIBLE with  
JEDEC STANDARD 32K x8 SRAMs  
V
CC  
DESCRIPTION  
The M48Z35/35Y ZEROPOWER RAM is a 32  
Kbit x8 non-volatile static RAM that integrates  
power-fail deselect circuitry and battery control  
logic on a single die. The monolithic chip is avail-  
able in two special packages to provide a highly in-  
tegrated battery backed-up memory solution.  
®
15  
8
A0-A14  
DQ0-DQ7  
W
E
M48Z35  
M48Z35Y  
Table 1. Signal Names  
G
A0-A14  
Address Inputs  
Data Inputs / Outputs  
Chip Enable  
DQ0-DQ7  
E
V
SS  
AI01616D  
G
W
Output Enable  
Write Enable  
Supply Voltage  
Ground  
V
CC  
V
SS  
August 1999  
1/18  
1234567...18

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与M48Z35-70MH1TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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