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M48Z35AV-10PC1

更新时间: 2024-09-24 22:17:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 139K
描述
256 Kbit (32 Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM

M48Z35AV-10PC1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:PLASTIC, DIP-28
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.62Is Samacsys:N
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e3长度:39.625 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:9.65 mm最大待机电流:0.003 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

M48Z35AV-10PC1 数据手册

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M48Z35  
M48Z35Y  
®
256 Kbit (32 Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM  
FEATURES SUMMARY  
INTEGRATED, ULTRA LOW POWER SRAM,  
POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT, and  
BATTERY  
Figure 1. 28-pin CAPHAT™ DIP Package  
READ CYCLE TIME EQUALS WRITE CYCLE  
TIME  
AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT  
and WRITE PROTECTION  
28  
WRITE PROTECT VOLTAGES:  
1
(V  
= Power-fail Deselect Voltage)  
PFD  
PCDIP28 (PC)  
Battery CAPHAT  
– M48Z35: V = 4.75 to 5.5V  
CC  
4.5V V  
4.75V  
PFD  
– M48Z35Y: 4.5 to 5.5V  
4.2V V 4.5V  
PFD  
SELF-CONTAINED BATTERY IN THE  
Figure 2. 28-pin SOIC Package  
CAPHAT™ DIP PACKAGE  
PACKAGING INCLUDES A 28-LEAD SOIC and  
SNAPHAT (SH)  
Crystal / Battery  
®
SNAPHAT TOP (to be Ordered Separately)  
PIN and FUNCTION COMPATIBLE WITH  
JEDEC STANDARD 32K x 8 SRAMs  
SOIC PACKAGE PROVIDES DIRECT  
CONNECTION FOR A SNAPHAT TOP WHICH  
CONTAINS THE BATTERY and CRYSTAL  
28  
1
SOH28 (MH)  
May 2002  
1/20  

M48Z35AV-10PC1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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