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M48Z35AV-10MH1E

更新时间: 2024-09-25 03:03:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 224K
描述
5.0V or 3.3V, 256Kbit (32Kbit x 8) ZEROPOWER㈢ SRAM

M48Z35AV-10MH1E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-28
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.63最长访问时间:100 ns
其他特性:SNAPHAT BATTERY TO BE ORDERED SEPARATELYJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e3长度:18.1 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.05 mm
最大待机电流:0.003 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:8.56 mmBase Number Matches:1

M48Z35AV-10MH1E 数据手册

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M48Z35AV  
5.0V or 3.3V, 256Kbit (32Kbit x 8) ZEROPOWER® SRAM  
Features  
Integrated, ultra low power SRAM, power-fail  
control circuit, and battery  
READ cycle time equals WRITE cycle time  
Battery low flag (BOK)  
28  
1
Automatic power-fail chip deselect and WRITE  
PCDIP28 (PC)  
Battery CAPHAT  
protection  
WRITE protect voltage:  
(V  
= Power-fail deselect voltage)  
PFD  
– M48Z35AV: 2.7V V  
3.0V  
PFD  
SNAPHAT (SH)  
battery  
Self-contained battery in the CAPHAT™ DIP  
package  
Packaging includes a 28-lead SOIC and  
®
SNAPHAT top (to be ordered separately)  
Pin and function compatible with JEDEC  
standard 32Kbit x 8 SRAMs  
28  
SOIC package provides direct connection for a  
1
SNAPHAT top which contains the battery  
RoHS compliant  
SOH28 (MH)  
Lead-free second level interconnect  
November 2007  
Rev 6  
1/24  
www.st.com  
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