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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36W0R6050B1ZAQF
M36W0R6050B1ZAQF PDF预览

M36W0R6050B1ZAQF

更新时间： 2024-01-23 02:00:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 221K
描述
64 Mbit (4 Mb 】16, Multiple Bank, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2 Mb 】16) PSRAM, multi-chip package

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M36W0R6050B1ZAQF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
针数：88Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.18
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：PSRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B88
JESD-609代码：e1长度：10 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16混合内存类型：FLASH+PSRAM
功能数量：1端子数量：88
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-30 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA88,8X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm子类别：Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36W0R6050B1ZAQF 数据手册

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M36W0R6050T1  
M36W0R6050B1  
64 Mbit (4 Mb ×16, Multiple Bank, Burst) Flash memory  
and 32 Mbit (2 Mb ×16) PSRAM, multi-chip package  
Features  
■ Multi-Chip Package  
– 1 die of 64 Mbit (4 Mb × 16) Flash memory  
– 1 die of 32 Mbit (2 Mb × 16) Pseudo SRAM  
FBGA  
■ Supply voltage  
– V  
= V  
= V  
= 1.7 V to 1.95 V  
DDQF  
DDF  
DDP  
Stacked TFBGA88  
(ZA)  
■ Low power consumption  
■ Electronic signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device code (top flash configuration),  
M36W0R6050T1: 8810h  
■ Block locking  
– Device code (bottom flash configuration),  
M36W0R6050B1: 8811h  
– All blocks locked at Power-up  
– Any combination of blocks can be locked  
■ Package  
– WP for Block Lock-Down  
F
– ECOPACK®  
■ Security  
– 128-bit user programmable OTP cells  
– 64-bit unique device number  
Flash memory  
■ Programming time  
■ Common Flash Interface (CFI)  
– 8 µs by Word typical for Fast Factory  
Program  
■ 100 000 program/erase cycles per block  
– Double/Quadruple Word Program option  
– Enhanced Factory Program options  
PSRAM  
■ Access time: 70 ns  
■ Memory blocks  
■ Asynchronous Page Read  
– Page size: 8 words  
– Multiple Bank memory array: 4 Mbit Banks  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
– First access within page: 70 ns  
– Subsequent read within page: 20 ns  
■ Synchronous / Asynchronous Read  
– Synchronous Burst Read mode: 66 MHz  
■ Three Power-down modes  
– Deep Power-Down  
– Asynchronous/ Synchronous Page Read  
mode  
– Random Access: 70 ns  
– Partial Array Refresh of 4 Mbits  
– Partial Array Refresh of 8 Mbits  
■ Dual operations  
– Program Erase in one Bank while Read in  
others  
– No delay between Read and Write  
operations  
January 2007  
1
1/22  
www.st.com  
1
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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