Datasheet > M36W0R7050B0ZAQF

M36W0R7050B0ZAQF

更新时间： 2024-11-19 14:52:51

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	359K
描述
Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M36W0R7050B0ZAQF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	88
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
其他特性：	PSRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
JESD-609代码：	e1	长度：	10 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	88	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M36W0R7050B0ZAQF 数据手册

M36W0R7050T0

M36W0R7050B0

128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and

32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, 1.8V Supply Multi-Chip Package

FEATURES SUMMARY

■

MULTI-CHIP PACKAGE

Figure 1. Package

–

1 die of 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank,

Burst) Flash Memory

–

1 die of 32 Mbit (2Mb x16) Pseudo SRAM

■

SUPPLY VOLTAGE

–

V_DDF= V_DDP= V_DDQ= 1.7 to 1.95V

V_PPF= 12V for Fast Program (optional)

FBGA

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 20h

Device Code (Top Flash Configuration)

M36W0R7050T0: 881Eh

TFBGA88 (ZAQ)

8 x 10mm

–

Device Code (Bottom Flash

Configuration) M36W0R7050B0: 881Fh

■

PACKAGE

–

Compliant with Lead-Free Soldering

Processes

■

SECURITY

–

Lead-Free Versions

–

64 bit unique device number

128 bit user programmable OTP Cells

FLASH MEMORY

■

SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ

–

BLOCK LOCKING

Synchronous Burst Read mode: 54MHz

Asynchronous/ Synchronous Page Read

mode

–

All blocks locked at power-up

Any combination of blocks can be locked

WP_Ffor Block Lock-Down

–

Random Access: 70ns

■

SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND

PROGRAMMING TIME

■

COMMON FLASH INTERFACE (CFI)

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

–

8µs by Word typical for Fast Factory

Program

PSRAM

–

Double/Quadruple Word Program option

Enhanced Factory Program options

■

ACCESS TIME: 85ns

LOW STANDBY CURRENT: 100µA

DEEP POWER-DOWN CURRENT: 10µA

BYTE CONTROL: UB_P/LB_P

PROGRAMMABLE PARTIAL ARRAY

8 WORD PAGE ACCESS CAPABILITY: 25ns

PARTIAL POWER-DOWN MODES

■

MEMORY ORGANIZATION

–

Multiple Bank Memory Array: 4 Mbit

Banks

Parameter Blocks (Top or Bottom

location)

–

DUAL OPERATIONS

–

Deep Power-Down

program/erase in one Bank while read in

others

No delay between read and write

operations

4 Mbit Partial Power-Down

8 Mbit Partial Power-Down

16 Mbit Partial Power-Down

–

December 2004

1/18

12 3 4 5 6 7...18

中文翻译

下载PDF

与M36W0R7050B0ZAQF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M36W0R7050T0ZAQF	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36W0R7050T0ZAQT	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36W0T7040T0ZAQT	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36W0T7050B0ZAQ	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36W0T7050B0ZAQE	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36W0T7050B0ZAQE	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36W0T7050B0ZAQF	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36W0T7050T0ZAQ	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36W0T7050T0ZAQE	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36W0T7050T0ZAQE	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88

与M36W0R7050B0ZAQF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

44

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M36W0R7050B0ZAQF

M36W0R7050B0ZAQF 技术参数

M36W0R7050B0ZAQF 数据手册

与M36W0R7050B0ZAQF相关器件

与M36W0R7050B0ZAQF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M36W0R7050B0ZAQF

M36W0R7050B0ZAQF 技术参数

M36W0R7050B0ZAQF 数据手册

与M36W0R7050B0ZAQF相关器件

与M36W0R7050B0ZAQF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？