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M36W0T7050B0ZAQE

更新时间： 2024-11-23 19:53:23

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	390K
描述
Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88

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M36W0T7050B0ZAQE 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	88
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.14	其他特性：	PSRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B88	JESD-609代码：	e1
长度：	10 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	88
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M36W0T7050B0ZAQE 数据手册

M36W0T7050T0

M36W0T7050B0

128Mbit (Multiple Bank, 8Mb x 16, Burst) Flash Memory

32Mbit (2M x16) PSRAM, Dual Supply, Multi-Chip Package

FEATURES SUMMARY

■

MULTI-CHIP PACKAGE

Figure 1. Package

–

1 die of 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank,

Burst) Flash Memory

–

1 die of 32 Mbit (2Mb x16) Pseudo SRAM

■

SUPPLY VOLTAGE

–

V_DDF= 1.7 to 2V

V_DDP= V_DDQ= 2.7 to 3.3V

FBGA

V_PP= 12V for fast Program (optional)

■

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 20h

Device Code (Top Flash Configuration)

M36W0T7050T0: 881Eh

TFBGA88 (ZAQ)

8 x 10mm

–

Device Code (Bottom Flash

Configuration) M36W0T7050B0: 881Fh

PACKAGE

–

Compliant with Lead-Free Soldering

Processes

■

SECURITY

–

Lead-Free Versions

–

128 bit user programmable OTP cells

64 bit unique device number

FLASH MEMORY

■

SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ

–

BLOCK LOCKING

Synchronous Burst Read mode: 40MHz

Asynchronous/ Synchronous Page Read

mode

–

All blocks locked at power-up

Any combination of blocks can be locked

WP_Ffor Block Lock-Down

–

Random Access: 70ns

■

SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND

PROGRAMMING TIME

■

COMMON FLASH INTERFACE (CFI)

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

–

8µs by Word typical for Fast Factory

Program

PSRAM

–

Double/Quadruple Word Program option

Enhanced Factory Program options

■

ACCESS TIME: 70ns

LOW STANDBY CURRENT: 100µA

DEEP POWER DOWN CURRENT: 10µA

BYTE CONTROL: UB_P/LB_P

PROGRAMMABLE PARTIAL ARRAY

8 WORD PAGE ACCESS CAPABILITY: 18ns

POWER-DOWN MODES

■

MEMORY BLOCKS

–

Multiple Bank Memory Array: 4 Mbit

Banks

Parameter Blocks (Top or Bottom

location)

–

DUAL OPERATIONS

–

– Deep Power-Down

program/erase in one Bank while read in

others

No delay between read and write

operations

– 4 Mbit Partial Array Refresh

– 8 Mbit Partial Array Refresh

– 16 Mbit Partial Array Refresh

–

December 2004

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