5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36W0R6050T3ZAQF
M36W0R6050T3ZAQF PDF预览

M36W0R6050T3ZAQF

更新时间： 2024-01-03 10:47:27
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 469K
描述
64-Mbit (4 Mbits 】16, multiple bank, burst) Flash memory and 16-Mbit (1 Mbit 】16) or 32-Mbit (2 Mbits x16) PSRAM MCP

阅读下载

中文翻译

获取价格

M36W0R6050T3ZAQF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA88,8X12,32
针数：88Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.2
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; PSRAM IS ORGANISED AS 2M X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B88
长度：10 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+PSRAM功能数量：1
端子数量：88字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-30 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA88,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00011 A子类别：Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M36W0R6050T3ZAQF 数据手册

 浏览型号M36W0R6050T3ZAQF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M36W0R6050T3ZAQF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M36W0R6050T3ZAQF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M36W0R6050T3ZAQF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M36W0R6050T3ZAQF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M36W0R6050T3ZAQF的Datasheet PDF文件第7页 
M36P0R9070E0  
512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory  
128 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package  
Feature summary  
FBGA  
■ Multi-Chip Package  
– 1 die of 512 Mbit (32Mb x 16, Multiple  
Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory  
– 1 die of 128Mbit (8Mb x16) PSRAM  
■ Supply voltage  
TFBGA107 (ZAC)  
– V  
– V  
= V  
= V  
= 1.7 to 1.95V  
DDQ  
DDF  
PPF  
CCP  
= 9V for fast program  
■ Block locking  
■ Electronic signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 8819  
– All Blocks locked at power-up  
– Any combination of Blocks can be locked  
with zero latency  
■ ECOPACK® package available  
– WP for Block Lock-Down  
F
– Absolute Write Protection with V  
= V  
SS  
PPF  
Flash memory  
PSRAM  
■ Synchronous / Asynchronous Read  
– Synchronous Burst Read mode:  
108MHz, 66MHz  
– Asynchronous Page Read mode  
– Random Access: 96ns  
■ Access time: 70ns  
■ User-selectable operating modes  
– Asynchronous modes: Random Read, and  
Write, Page Read  
■ Programming time  
– Synchronous modes: NOR-Flash, Full  
Synchronous (Burst Read and Write)  
– 4.2µs typical Word program time using  
Buffer Enhanced Factory Program  
command  
■ Asynchronous Page Read  
– Page Size: 4, 8 or 16 Words  
– Subsequent Read Within Page: 20ns  
■ Memory organization  
– Multiple bank memory array: 64 Mbit banks  
■ Burst Read  
– Four Extended Flash Array (EFA) Blocks of  
64 Kbits  
– Fixed Length (4, 8, 16 or 32 Words) or  
Continuous  
■ Dual operations  
– Maximum Clock Frequency: 80MHz  
– program/erase in one Bank while read in  
others  
– No delay between read and write  
operations  
■ Low Power Consumption  
– Active Current: < 25mA  
– Standby Current: 200µA  
– Deep Power-Down Current: 10µA  
■ Security  
■ Low Power Features  
– 2112-bit user programmable OTP Cells  
– 64-bit unique device number  
– Partial Array Self Refresh (PASR)  
– Deep Power-Down (DPD) Mode  
■ 100,000 program/erase cycles per block  
■ Common Flash Interface (CFI)  
November 2007  
Rev 3  
1/23  
www.numonyx.com  
1
1234567...23

中文翻译

下载PDF

与M36W0R6050T3ZAQF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W0R6050U4ZAME NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+PSRAM, 4MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT
M36W0R6050U4ZSE NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+PSRAM, 4MX16, CMOS, PBGA56, 8 X 6 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH,
M36W0R6050U4ZSF NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+PSRAM, 4MX16, CMOS, PBGA56, 8 X 6 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH,
M36W0R7050B0ZAQE NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36W0R7050B0ZAQF NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36W0R7050T0ZAQF NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36W0R7050T0ZAQT NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36W0T7040T0ZAQT STMICROELECTRONICS

获取价格

 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36W0T7050B0ZAQ NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36W0T7050B0ZAQE NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88

与M36W0R6050T3ZAQF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证