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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36W0R6050T3ZAQF
M36W0R6050T3ZAQF PDF预览

M36W0R6050T3ZAQF

更新时间： 2024-11-19 03:29:43
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 469K
描述
64-Mbit (4 Mbits 】16, multiple bank, burst) Flash memory and 16-Mbit (1 Mbit 】16) or 32-Mbit (2 Mbits x16) PSRAM MCP

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M36W0R6050T3ZAQF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA88,8X12,32
针数：88Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.2
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; PSRAM IS ORGANISED AS 2M X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B88
长度：10 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+PSRAM功能数量：1
端子数量：88字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-30 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA88,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00011 A子类别：Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M36W0R6050T3ZAQF 数据手册

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M36P0R9070E0  
512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory  
128 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package  
Feature summary  
FBGA  
■ Multi-Chip Package  
– 1 die of 512 Mbit (32Mb x 16, Multiple  
Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory  
– 1 die of 128Mbit (8Mb x16) PSRAM  
■ Supply voltage  
TFBGA107 (ZAC)  
– V  
– V  
= V  
= V  
= 1.7 to 1.95V  
DDQ  
DDF  
PPF  
CCP  
= 9V for fast program  
■ Block locking  
■ Electronic signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 8819  
– All Blocks locked at power-up  
– Any combination of Blocks can be locked  
with zero latency  
■ ECOPACK® package available  
– WP for Block Lock-Down  
F
– Absolute Write Protection with V  
= V  
SS  
PPF  
Flash memory  
PSRAM  
■ Synchronous / Asynchronous Read  
– Synchronous Burst Read mode:  
108MHz, 66MHz  
– Asynchronous Page Read mode  
– Random Access: 96ns  
■ Access time: 70ns  
■ User-selectable operating modes  
– Asynchronous modes: Random Read, and  
Write, Page Read  
■ Programming time  
– Synchronous modes: NOR-Flash, Full  
Synchronous (Burst Read and Write)  
– 4.2µs typical Word program time using  
Buffer Enhanced Factory Program  
command  
■ Asynchronous Page Read  
– Page Size: 4, 8 or 16 Words  
– Subsequent Read Within Page: 20ns  
■ Memory organization  
– Multiple bank memory array: 64 Mbit banks  
■ Burst Read  
– Four Extended Flash Array (EFA) Blocks of  
64 Kbits  
– Fixed Length (4, 8, 16 or 32 Words) or  
Continuous  
■ Dual operations  
– Maximum Clock Frequency: 80MHz  
– program/erase in one Bank while read in  
others  
– No delay between read and write  
operations  
■ Low Power Consumption  
– Active Current: < 25mA  
– Standby Current: 200µA  
– Deep Power-Down Current: 10µA  
■ Security  
■ Low Power Features  
– 2112-bit user programmable OTP Cells  
– 64-bit unique device number  
– Partial Array Self Refresh (PASR)  
– Deep Power-Down (DPD) Mode  
■ 100,000 program/erase cycles per block  
■ Common Flash Interface (CFI)  
November 2007  
Rev 3  
1/23  
www.numonyx.com  
1
1234567...23

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与M36W0R6050T3ZAQF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W0R6050U4ZAME NUMONYX

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 		Memory Circuit, Flash+PSRAM, 4MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT
M36W0R6050U4ZSE NUMONYX

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 		Memory Circuit, Flash+PSRAM, 4MX16, CMOS, PBGA56, 8 X 6 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH,
M36W0R6050U4ZSF NUMONYX

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 		Memory Circuit, Flash+PSRAM, 4MX16, CMOS, PBGA56, 8 X 6 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH,
M36W0R7050B0ZAQE NUMONYX

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 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36W0R7050B0ZAQF NUMONYX

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 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36W0R7050T0ZAQF NUMONYX

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 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36W0R7050T0ZAQT NUMONYX

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 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36W0T7040T0ZAQT STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36W0T7050B0ZAQ NUMONYX

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 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36W0T7050B0ZAQE NUMONYX

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 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88

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