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M29F160BT90N1

更新时间: 2024-09-21 14:52:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 光电二极管内存集成电路
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19页 1324K
描述
M29F160BT90N1

M29F160BT90N1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:90 ns备用内存宽度:8
启动块:TOP命令用户界面:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
部门数/规模:1,2,1,31端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.00015 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:YES类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

M29F160BT90N1 数据手册

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