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M29F160FT5AN6E2

更新时间： 2024-11-11 15:17:43
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
56页 679K
描述
Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory

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M29F160FT5AN6E2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.57
最长访问时间：55 ns其他特性：TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,31端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.00012 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29F160FT5AN6E2 数据手册

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M29FxxxFT/B  
Features  
Micron Parallel NOR Flash Embedded  
Memory  
Top/Bottom Boot Block 5V Supply  
M29F200FT/B, M29F400FT/B, M29F800FT/B, M29F160FT/B  
• RoHS-compliant packages  
– TSOP48  
– SO44 (16Mb not available for this package)  
• Automotive device grade 3  
– Temperature: –40 to +125°C  
Features  
• Supply voltage  
– VCC = 5V  
• Access time: 55ns  
• Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Erase suspend and resume modes  
• Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
• 100,000 PROGRAM/ERASE cycles per block  
• Electronic signature  
• Automotive device grade 6  
– Temperature: –40 to +85°C  
• Automotive grade certified (AEC-Q100)  
– Manufacturer code: 0x01h  
• Top device codes  
– M29F200FT: 0x2251  
– M29F400FT: 0x2223  
– M29F800FT: 0x22D6  
– M29F160FT: 0x22D2  
• Bottom device codes  
– M29F200FB: 0x2257  
– M29F400FB: 0x22AB  
– M29F800FB: 0x2258  
– M29F160FB: 0x22D8  
CCMTD-1725822587-8401  
m29fxxxf/t_2mb-16mb.pdf - Rev. C 5/18 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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M29F160FT5AN6E2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29F160FT5AN6F2 MICRON

完全替代

 Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FB5AN6E2 MICRON

完全替代

 Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FT55N3E2 MICRON

类似代替

 Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F160FT5AN6F2 MICRON

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 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F200 STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200B STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200B-120M1R STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200B-120M1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200B-120M3R STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200B-120M3TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200B-120M6R STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200B-120M6TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200B-120N1R STMICROELECTRONICS

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