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M29F200B-150M6TR

更新时间: 2024-11-08 15:42:23
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 763K
描述
Flash, 256KX8, 150ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44

M29F200B-150M6TR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:0.525 INCH, PLASTIC, SO-44针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.66
最长访问时间:150 ns备用内存宽度:16
启动块:BOTTOMJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:28.2 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:44
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.62 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:13.3 mmBase Number Matches:1

M29F200B-150M6TR 数据手册

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