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M29F160BT90N6

更新时间： 2024-11-08 21:02:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 171K
描述
M29F160BT90N6

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M29F160BT90N6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.92
最长访问时间：90 ns备用内存宽度：8
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
部门数/规模：1,2,1,31端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.00015 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

M29F160BT90N6 数据手册

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M29F160BT  
M29F160BB  
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)  
Single Supply Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 55ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 8µs per Byte/Word typical  
■ 35 MEMORY BLOCKS  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 32 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
Figure 1. Logic Diagram  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
V
CC  
– Faster Production/Batch Programming  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
20  
15  
MODE  
A0-A19  
DQ0-DQ14  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
M29F160BT  
M29F160BB  
BLOCK  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
G
RP  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Top Device Code M29F160BT: 22CCh  
– Bottom Device Code M29F160BB: 224Bh  
V
SS  
AI02920  
March 2000  
1/22  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...22

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与M29F160BT90N6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F160BT90N6T NUMONYX

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 		Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F160FB55N3E2 NUMONYX

获取价格

 		Flash, 1MX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48
M29F160FB55N3E2 MICRON

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 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FB55N3F2 NUMONYX

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 		Top / Bottom Boot Block 5 V Supply Flash Memory
M29F160FB55N3F2 MICRON

获取价格

 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FB5AN6E2 MICRON

获取价格

 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FB5AN6F2 NUMONYX

获取价格

 		Flash, 1MX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48
M29F160FB5AN6F2 MICRON

获取价格

 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FT55N3E2 MICRON

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 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FT55N3F2 MICRON

获取价格

 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory

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